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公开(公告)号：CN118222945A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410333555.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。高熵非晶磁制冷材料分子式为GdaMbM’cTdT’e，a、b、c、d、e为原子百分含量，22≤a≤28，10≤b，c≤30，10≤d，e≤25，a+b+c+d+e＝100；其中M、M’均为Fe、Co、Ni、Cu、Zn中的一种，并且M与M’不相同；T、T’均为B、C、Al、Si中的一种，并且T与T’不相同。Gd元素的质量百分比低于30％。高熵非晶磁制冷材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为11.1J/kgK～15.6J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为14.2J/kgK～19.5J/kgK；磁转变温度为20K～40K。本发明采用上述低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的高熵非晶合金磁熵变低，成本高的问题。
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公开(公告)号：CN118222944A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410333552.8
申请日：2024-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氢液化用钆基非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。钆基非晶磁制冷材料化学通式为GdaCobCc，a、b、c分别表示Gd、Co、C的原子含量，27≤a≤40，22≤b≤40，30≤c≤45，a+b+c＝100。钆基非晶磁制冷材料的制备方法如下：配料，稀土稍过量；在高纯氩气气氛保护下熔炼3‑5次，以保证成分均匀性；表面清理干净后，破碎成小块合金铸锭；采用感应熔炼甩带装置，将铸锭在氩气气氛下重熔，保温后甩带，得到GdaCobCc条带非晶磁制冷材料。制备的钆基非晶磁制冷材料，磁转变温度为25K～65K；在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为10.1J/kgK～13.3J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为13.6J/kgK～17.3J/kgK；具有较高的磁熵变，满足氢气液化需要。
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公开(公告)号：CN117637273A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311609876.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公布了一种钆钴碳基低温磁制冷材料及其制备方法与应用，该材料的化学通式为为Gda(Co1‑xCx)bZc，其中Z为Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Cd、Al、Mg、Si，B、Ga、Ge中的一种或多种；30≤a≤35，65≤b≤70，0.45≤x≤0.55，0≤c≤10，a+b+c＝100；本发明公布的钆钴碳基低温磁制冷材料在5K～30K温度范围内具有大的磁热效应，本发明同时提供了两种钆钴碳基低温磁制冷材料的制备方法和应用方法。本发明提供的产品具有原材料成本低廉、成分可控、适合工业化，是一种理想的低温磁制冷材料。
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