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公开(公告)号：CN104032279B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410202352.5
申请日：2014-05-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅薄膜的制备方法。二氧化硅薄膜一般是直接生长在目标基底表面，不具有可转移性。本发明制备的二氧化硅生长在基底表面，二氧化硅与基底之间可以分离，分离后二氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的二氧化硅薄膜具有机械强度好、柔韧性好和可转移性等优点。
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公开(公告)号：CN104030675A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410202474.4
申请日：2014-05-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及氧化锌透明陶瓷的制备方法。现有技术制备的氧化锌陶瓷一般不透光，烧结过程中氧化锌晶粒长大不能获得氧化锌纳米陶瓷。本发明将金属锌与双氧水按照质量比1～5：50混合，两者发生化学反应，一定时间后生成氢氧化锌胶体，然后在10～20℃条件下蒸发去除双氧水溶液，获得氢氧化锌凝胶，氢氧化锌凝胶在60～100℃烘干10～24小时，然后260～400℃热处理1～3小时，之后自然冷却，获得氧化锌透明陶瓷。本发明制备的氧化锌陶瓷为透明纳米陶瓷，对紫外光有强烈吸收，本发明方法工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105483646B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610038774.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种紫外吸收薄膜材料的制备方法。近紫外光吸收屏蔽薄膜常见的有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜化学性质不够稳定比如遇到弱酸即溶解。六方氮化硼化学稳定性好，薄膜柔韧性好，光学禁带宽度6.1eV，能够吸收屏蔽202nm附近的紫外光，可以用作紫外吸收屏蔽材料。但是六方氮化硼紫外吸收范围窄，通过氧掺杂后可以调节六方氮化硼的禁带宽度，增加六方氮化硼对紫外光的吸收范围。本专利通过化学气相沉积法在生长六方氮化硼的同时进行氧掺杂，获得氧掺杂六方氮化硼薄膜，这种方法制备的六方氮化硼薄膜对紫外光吸收的波长范围扩大到190nm～380nm，适合用作近紫外光的吸收材料。
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公开(公告)号：CN105483646A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610038774.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种紫外吸收薄膜材料的制备方法。近紫外光吸收屏蔽薄膜常见的有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜化学性质不够稳定比如遇到弱酸即溶解。六方氮化硼化学稳定性好，薄膜柔韧性好，光学禁带宽度6.1eV，能够吸收屏蔽202nm附近的紫外光，可以用作紫外吸收屏蔽材料。但是六方氮化硼紫外吸收范围窄，通过氧掺杂后可以调节六方氮化硼的禁带宽度，增加六方氮化硼对紫外光的吸收范围。本发明通过化学气相沉积法在生长六方氮化硼的同时进行氧掺杂，获得氧掺杂六方氮化硼薄膜，这种方法制备的六方氮化硼薄膜对紫外光吸收的波长范围扩大到190nm～380nm，适合用作近紫外光的吸收材料。
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公开(公告)号：CN104032279A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410202352.5
申请日：2014-05-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅薄膜的制备方法。二氧化硅薄膜一般是直接生长在目标基底表面，不具有可转移性。本发明制备的二氧化硅生长在基底表面，二氧化硅与基底之间可以分离，分离后二氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的二氧化硅薄膜具有机械强度好、柔韧性好和可转移性等优点。
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