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公开(公告)号：CN108970026B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810776332.7
申请日：2018-07-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锻炼腿部脚部的复健装置及其复健方法。腿脚受伤者用现有走步机进行复健时易发生二次损伤。本发明一种锻炼腿部脚部的复健装置，包括走步机、机架、上拉机构、激光指示灯和红外传感器。走步机包括外壳、传送辊、传送带和传送电机。上拉机构包括承重衣和上拉驱动件。上拉驱动件包括上拉电机、转轴、轴承座和承重绳。n个激光指示灯均固定在外壳的头端。n个激光指示灯沿走步机的宽度方向依次等间距排列设置。n个红外传感器均固定在外壳的头端，且与n个激光指示灯分别对应。本发明能够为使用者提供一个向上的拉力，减少使用者在锻炼过程中产生二次伤害的可能性，并能够帮助使用者进行腿脑协调能力的锻炼。
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公开(公告)号：CN105908152B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610283359.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜的转移方法，现有的化学气相沉积法(CVD)制备的二维(2D)原子层材料，通常是长在金属催化剂表面上的，然后用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作辅助，将2D材料转移到目标基底上，最后用有机溶剂去除PMMA。但是有机溶剂难以完全去除PMMA，会有部分残留在2D材料表面，造成污染，即使高温氧化或气氛还原也无法将其完全清除。本专利在被转移的2D材料六方氮化硼和PMMA之间引入中间层，在实现六方氮化硼向基底转移的同时避免了PMMA对六方氮化硼的表面污染。
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公开(公告)号：CN105895521B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
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公开(公告)号：CN105908152A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610283359.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜的转移方法，现有的化学气相沉积法(CVD)制备的二维(2D)原子层材料，通常是长在金属催化剂表面上的，然后用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作辅助，将2D材料转移到目标基底上，最后用有机溶剂去除PMMA。但是有机溶剂难以完全去除PMMA，会有部分残留在2D材料表面，造成污染，即使高温氧化或气氛还原也无法将其完全清除。本专利在被转移的2D材料六方氮化硼和PMMA之间引入中间层，在实现六方氮化硼向基底转移的同时避免了PMMA对六方氮化硼的表面污染。
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公开(公告)号：CN105483646A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610038774.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种紫外吸收薄膜材料的制备方法。近紫外光吸收屏蔽薄膜常见的有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜化学性质不够稳定比如遇到弱酸即溶解。六方氮化硼化学稳定性好，薄膜柔韧性好，光学禁带宽度6.1eV，能够吸收屏蔽202nm附近的紫外光，可以用作紫外吸收屏蔽材料。但是六方氮化硼紫外吸收范围窄，通过氧掺杂后可以调节六方氮化硼的禁带宽度，增加六方氮化硼对紫外光的吸收范围。本发明通过化学气相沉积法在生长六方氮化硼的同时进行氧掺杂，获得氧掺杂六方氮化硼薄膜，这种方法制备的六方氮化硼薄膜对紫外光吸收的波长范围扩大到190nm～380nm，适合用作近紫外光的吸收材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105274491A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510769561.2
申请日：2015-11-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯-氮化硼异质相复合薄膜材料的制备方法。目前石墨烯和氮化硼原子层薄膜的均可通过化学气相沉积法生长，石墨烯氮化硼异质相薄膜通过分步石墨烯和氮化硼然后转移至基底表面实现复合薄膜的制备，这种方法往往造成石墨烯与氮化硼界面的污染，影响复合薄膜的电学性能。在石墨烯表面生长氮化硼往往获得同一原子层面内的氮化硼与石墨烯复合材料。本方法采用分步合成方法，首先合成氮化硼，然后在氮化硼与金属催化剂界面层处生长石墨烯，获得石墨烯氮化硼异质相薄膜材料。该方法制备的石墨烯与氮化硼界面处清洁无污染，对于提高复合的电学性能是有益的。
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公开(公告)号：CN108970026A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810776332.7
申请日：2018-07-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锻炼腿部脚部的复健装置及其复健方法。腿脚受伤者用现有走步机进行复健时易发生二次损伤。本发明一种锻炼腿部脚部的复健装置，包括走步机、机架、上拉机构、激光指示灯和红外传感器。走步机包括外壳、传送辊、传送带和传送电机。上拉机构包括承重衣和上拉驱动件。上拉驱动件包括上拉电机、转轴、轴承座和承重绳。n个激光指示灯均固定在外壳的头端。n个激光指示灯沿走步机的宽度方向依次等间距排列设置。n个红外传感器均固定在外壳的头端，且与n个激光指示灯分别对应。本发明能够为使用者提供一个向上的拉力，减少使用者在锻炼过程中产生二次伤害的可能性，并能够帮助使用者进行腿脑协调能力的锻炼。
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公开(公告)号：CN105895521A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
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公开(公告)号：CN105648419A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610038377.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明涉及一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法。目前六方氮化硼原子层薄膜的可通过化学气相沉积法生长，但六方氮化硼原子层薄膜生长质量不高，比如单晶晶畴尺寸小，薄膜表层有分散的氮化硼颗粒物或连续的颗粒膜，这些都影响到氮化硼薄膜的性能与应用。本方法通过化学气相沉积法首先合成氮化硼薄膜，然后在不同气氛中对薄膜进行热处理去除表层中的颗粒物，获得薄膜厚度降低后的高质量六方氮化硼二维薄膜，这种方法对于降低氮化硼薄膜厚度与提高薄膜质量是有益的。
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公开(公告)号：CN105648419B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610038377.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明涉及一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法。目前六方氮化硼原子层薄膜的可通过化学气相沉积法生长，但六方氮化硼原子层薄膜生长质量不高，比如单晶晶畴尺寸小，薄膜表层有分散的氮化硼颗粒物或连续的颗粒膜，这些都影响到氮化硼薄膜的性能与应用。本方法通过化学气相沉积法首先合成氮化硼薄膜，然后在不同气氛中对薄膜进行热处理去除表层中的颗粒物，获得薄膜厚度降低后的高质量六方氮化硼二维薄膜，这种方法对于降低氮化硼薄膜厚度与提高薄膜质量是有益的。
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