公开(公告)号：CN101346820B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680048843.2

申请日：2006-12-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  渡边一史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同，因其载流子迁移率不同，就需要使p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管，以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此，在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时，能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。

公开(公告)号：CN101816060A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101490849A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026588.6

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种积累型晶体管，沟道区半导体层的杂质浓度高于2×1017cm－3，从而能够承受更大的栅极电压摆幅。

公开(公告)号：CN101490823A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026534.X

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 在遮光的状态下，在氮气环境中，通过用加氢超纯水洗净硅表面，实现峰谷(P－V)值在0.3nm以下的平坦度，同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下，实现接触电阻在10－11Ωcm2以下。由此，可以得到能够以10GHz以上的频率动作的半导体装置。

公开(公告)号：CN101258453A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200580051556.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 爱德万测试株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 冈安俊幸 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: G05B19/418

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/32221 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/20 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/22 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种通过多个生产工序生产电子器件的生产系统，具有：生产线，其配备有对相对多个生产工序进行处理的生产装置，生产晶片，电子器件；生产控制部，其通过生产线制造包括含多个被测定晶体管的测试电路的晶片；测定部，其测定测试电路中含有的多个被测定晶体管各自的电特性；确定部，其根据电特性不满足预定基准的被测定晶体管在前述晶片上的分布，确定多个生产工序中产生不良的生产工序；设定变更部，其变更生产装置的处理条件，该生产装置实施与产生前述不良的生产工序对应的处理。

公开(公告)号：CN101107715A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002450.8

申请日：2006-01-17

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，用氟化碳(CFx、0.3＜x＜0.6)或碳氢化合物(CHy、0.8＜y＜1.2)形成栅绝缘膜(硅氧化膜)以外的元件分离领域、层间绝缘膜以及保护绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN102792449B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 富士电机株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN103489919A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310334981.9

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/45 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于电源电压的偏差。

公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN102017161B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200980115221.0

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于由电源电压所决定的偏差。