公开(公告)号：CN101536182B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200780040960.9

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101390201B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680053382.8

申请日：2006-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 井上隆 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  宫本广信 ,  山之口胜己 ,  黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  冈本康宏

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分-调制的(组分-梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。

公开(公告)号：CN101238561B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200680029192.2

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101976686A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010504353.7

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管。所述场效应晶体管在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能。在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101536182A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040960.9

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101390201A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200680053382.8

申请日：2006-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 井上隆 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  宫本广信 ,  山之口胜己 ,  黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  冈本康宏

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分－调制的(组分－梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。