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公开(公告)号：CN105492653A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN103314127B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180063189.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806
Abstract: 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。
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公开(公告)号：CN112823432B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980062655.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H10N30/853 , C23C14/08 , H10N30/88 , H10N30/076 , H10N30/079
Abstract: 提供一种机械能与电能之间的转化能力高的压电器件。压电器件具有第1电极层、第2电极层、以及上述第1电极层与上述第2电极层之间所配置的压电体层，上述压电体层向具有纤锌矿型的晶体结构的ZnO系材料中添加不表现导电性的金属，厚度振动模式下的机电耦合系数的平方值为6.5％以上。
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公开(公告)号：CN112753291A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980063217.8
申请日：2019-09-20
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电波吸收体(1a)具备电阻层(20)、导电体(30)和电介质层(10)。电阻层(20)包含氧化铟锡作为主成分。导电体(30)反射电波。电介质层(10)在电阻层(20)的厚度方向上配置在电阻层(20)与导电体(30)之间。此外，电介质层(10)由高分子形成。电阻层(20)所含的氧化铟锡中的锡氧化物的含量超过0重量％且小于20重量％。电阻层(20)所含的氢原子的数量相对于电阻层(20)所含的铟原子、锡原子、氧原子和氢原子的总数为5％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110771274B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201880039478.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)是含有氧化锡或氧化钛作为主要成分的层，或者，电阻层(20)是由含有40重量％以上的氧化锡的氧化铟锡形成的层。
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公开(公告)号：CN111629893A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980008009.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电磁波透过性金属光泽膜，该电磁波透过性金属光泽膜具有金属光泽以及电磁波透过性，并且能够以难以损伤的方式使用，另外，在使用产品时能够直接发挥被粘接部件的质感。本发明涉及一种电磁波透过性金属光泽膜，该电磁波透过性金属光泽膜具备基材膜、在基材膜的单面上形成的金属层和在金属层上形成的粘合剂层，金属层是由金属构成的不连续的层，粘合剂层是由透明粘合剂构成的层。
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公开(公告)号：CN110033879A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910322990.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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公开(公告)号：CN105473756B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580001616.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/58 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01B1/02 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01L31/022466
Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc‑na)2+(μc‑μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。
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公开(公告)号：CN106460153B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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