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公开(公告)号：CN103038304A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037367.5
申请日：2011-07-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09J7/0217 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/306 , B32B2307/412 , B32B2405/00 , B32B2457/202 , B32B2457/208 , C08K3/28 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J133/08 , C09J143/02 , C09J2203/318 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , G06F3/044 , Y10T428/2848
Abstract: 对于本发明的用于透明导电性膜的粘合剂层，所述粘合剂层的厚度为10~100μm，并且，所述粘合剂层是由水分散型丙烯酸系粘合剂形成的，所述水分散型丙烯酸系粘合剂是由含有水分散型的(甲基)丙烯酸系聚合物和水溶性碱性成分的水分散液形成的，其中，所述水分散型的(甲基)丙烯酸系聚合物中，作为单体单元含有100重量份的具有碳数4~14的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯和1~8重量份的作为共聚单体的含羧基单体，并且，所述粘合剂层每1cm2中含有200~500000ng的起因于该粘合剂层而被测到的水溶性碱性成分。该透明导电性膜用粘合剂层能够满足在高温及高温高湿度环境下的耐久性，并且能够抑制在高温高湿度环境下的腐蚀。
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公开(公告)号：CN102985585A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180033556.5
申请日：2011-07-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C08J7/045 , C08J7/08 , C08J2323/06 , C08J2483/04 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C14/5806
Abstract: 本发明的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至170℃～220℃的加热炉内，所述非晶膜被结晶化。前述结晶化工序中的加热炉内的温度优选为170℃～220℃。另外，前述结晶化工序中的薄膜长度的变化率优选为+2.5%以下。
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公开(公告)号：CN114761834A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082356.8
申请日：2020-11-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B1/115 , B32B7/023 , B32B9/00 , B32B27/18 , G02B1/14 , G02F1/1335 , G09F9/00 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 防反射薄膜(100)具备：在薄膜基材(10)的一个主面上具备硬涂层(11)的硬涂薄膜；在硬涂层上接触设置的底漆层(3)；以及，在底漆层上接触设置的防反射层(5)。防反射层是折射率不同的多个薄膜的层叠体。底漆层是包含In、Sn等金属的氧化物的金属氧化物层，其中，优选为氧化铟锡等铟系氧化物层。
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公开(公告)号：CN102956287B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201210307081.0
申请日：2012-08-24
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/024 , C23C14/35 , C23C14/5873 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , Y10T428/266
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜及其制造方法。挠性透明基材上具有结晶性的透明导体层的透明导电性薄膜中，即使透明导体层被图案化，在组装到了触摸屏等中时，也能抑制由看到图案开口部与图案形成部的边界导致的美观性降低。一种在挠性透明基材的一个面上形成有由结晶性导电性金属氧化物形成的透明导体层的透明导电性薄膜，挠性透明基材的厚度为80μm以下。本发明的透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H1与将通过蚀刻去除了透明导体层的透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H2之差H1‑H2为‑0.043％～0.02％。因此，可减小组装到了触摸屏等中时图案边界处的台阶差，抑制美观性降低。
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公开(公告)号：CN105070353A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510435735.1
申请日：2011-12-16
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806
Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105070353B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201510435735.1
申请日：2011-12-16
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806
Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。
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公开(公告)号：CN103314127B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180063189.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806
Abstract: 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。
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公开(公告)号：CN103000299B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210330181.5
申请日：2012-09-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , G06F2203/04103 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供可以缩短用于使具有铟系复合氧化物的非晶质层结晶化的加热时间的透明导电性薄膜的制造方法。本发明的透明导电性薄膜的制造方法具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在利用输出辊输送层叠有上述非晶质层的薄膜基材并在卷绕辊上卷绕的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使上述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在上述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。
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公开(公告)号：CN114761834B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202080082356.8
申请日：2020-11-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B1/115 , B32B7/023 , B32B9/00 , B32B27/18 , G02B1/14 , G02F1/1335 , G09F9/00 , H05B33/02 , H10K59/124 , H10K59/126 , H10K50/856
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