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公开(公告)号：CN112823432B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980062655.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H10N30/853 , C23C14/08 , H10N30/88 , H10N30/076 , H10N30/079
Abstract: 提供一种机械能与电能之间的转化能力高的压电器件。压电器件具有第1电极层、第2电极层、以及上述第1电极层与上述第2电极层之间所配置的压电体层，上述压电体层向具有纤锌矿型的晶体结构的ZnO系材料中添加不表现导电性的金属，厚度振动模式下的机电耦合系数的平方值为6.5％以上。
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公开(公告)号：CN110033879A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910322990.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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公开(公告)号：CN110462860A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020923.X
申请日：2018-03-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L41/319 , H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 提供一种包括具有弯曲性的塑料层、具备良好的压电特性、且抑制了裂纹或裂痕的压电装置及其制造方法。所述压电装置至少叠层有第一电极、塑料层、取向控制层、压电体层、以及第二电极，其中，所述取向控制层为非晶质，在所述取向控制层上形成有具有纤维锌矿型的晶体结构的厚度为20nm～250nm的压电体层，所述取向控制层和所述压电体层被配置在所述第一电极与所述第二电极之间。
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公开(公告)号：CN112740429B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980062331.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H10N30/853 , C23C14/08 , H10N30/88 , H10N30/076 , H10N30/079
Abstract: 改善压电器件的光学特性与压电特性的至少一者。压电器件具有第1电极层、第2电极层、以及上述第1电极与第2电极之间所配置的至少1层压电体层，上述压电体层将纤锌矿型的结晶材料作为主成分，并添加有通过形成氧化物而具有透明性的元素1种以上，雾度值为3.0％以下，相对于波长380nm的光的透射率为50％以上。
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公开(公告)号：CN110462860B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201880020923.X
申请日：2018-03-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H10N30/079 , H10N30/87 , H10N30/30 , H10N30/853 , H10N30/076
Abstract: 提供一种包括具有弯曲性的塑料层、具备良好的压电特性、且抑制了裂纹或裂痕的压电装置及其制造方法。所述压电装置至少叠层有第一电极、塑料层、取向控制层、压电体层、以及第二电极，其中，所述取向控制层为非晶质，在所述取向控制层上形成有具有纤维锌矿型的晶体结构的厚度为20nm～250nm的压电体层，所述取向控制层和所述压电体层被配置在所述第一电极与所述第二电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105637111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201580002175.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2250/02 , B32B2250/03 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/706 , B32B2307/732 , B32B2457/208 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/562 , C23C14/5806 , G06F3/044
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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公开(公告)号：CN118891976A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027903.6
申请日：2023-03-30
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 带磁性薄膜的基材1a具备基材20和磁性薄膜11。从磁性薄膜11的第二内部应力σx减去磁性薄膜11的第一内部应力σy而得的差为50MPa以上。第一内部应力σy是沿与基片20平行地延伸的磁性薄膜11的面P的第一方向上的磁性薄膜11的内部应力。第二内部应力σx是与面P平行且与第一方向垂直的第二方向上的磁性薄膜11的内部应力。
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公开(公告)号：CN118044356A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280065515.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 热电转换元件1a具备磁热电转换体11和布线12。磁热电转换体11以线状延伸。布线12与磁热电转换体11电连接。在热电转换元件1a中，磁热电转换体11的长边方向上的塞贝克系数Sm与布线12的长边方向上的塞贝克系数Sc之差的绝对值|ΔS|为10μV/K以下。
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公开(公告)号：CN113573897B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202080021114.8
申请日：2020-03-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B27/06 , H10N30/87 , H10N30/853 , H10N30/073 , H10N30/079
Abstract: 维持层叠体的柔韧性的同时，降低功能层的开裂的产生。层叠体具有高分子的基材、以及形成于上述基材的第1面的结晶性的功能层，上述基材的上述第1面的表面粗糙度以算术平均粗糙度(Ra)计为3nm以下。
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