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公开(公告)号：CN108353521A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680062050.X
申请日：2016-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够长期保持优异的性能的电磁波吸收体，该电磁波吸收体具有：由高分子薄膜构成的电介质层B、在电介质层B的第1面的以氧化铟锡为主成分的电阻层A、和在电介质层B的第2面的具有比所述电阻层A低的薄层电阻的导电层C，上述电阻层A的氧化铟锡中含有的氧化锡为氧化铟锡重量的20～40重量％。
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公开(公告)号：CN104937678B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480005118.1
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3407 , C23C14/542 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01J37/3277 , H01J37/3402 , H01J37/3429 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN106460153A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN101582304A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910140585.6
申请日：2009-05-08
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 佐佐和明
Abstract: 本发明提供即使在ZnO系透明导电薄膜的膜厚小的情况下(特别是膜厚为100nm左右以下的情况下)也可以显示出低电阻值并且在湿热环境下电阻值的变化率也很小的透明导电膜及其制造方法。本发明的透明导电膜是含有有机高分子膜基材(1)的透明导电膜，其特征在于，具有：形成于有机高分子膜基材(1)上的可见光透过率高的第一氧化物薄膜(2)、形成于第一氧化物薄膜(2)上的ZnO系透明导电薄膜(3)，第一氧化物薄膜(2)在形成ZnO系透明导电薄膜(3)之前的氧量为化学计量值的60～90％。
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公开(公告)号：CN110033879A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910322990.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105473756B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580001616.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/58 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01B1/02 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01L31/022466
Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc‑na)2+(μc‑μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。
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公开(公告)号：CN106460153B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN104937676A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005117.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10-4～2.8×10-4Ω·cm，并且在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.2。本发明的透明导电性薄膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN104919542A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480005116.2
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10-4～2.8×10-4Ω·cm，并且自前述薄膜基材侧夹着至少1层底涂层设置有前述透明导电膜，且前述底涂层的至少1层通过干法而形成。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN109930109A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910038774.6
申请日：2012-11-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
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