公开(公告)号：CN105452520B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201580001267.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  加藤大贵 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  宫崎司 ,  上田恵梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。

公开(公告)号：CN103314127A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201180063189.3

申请日：2011-12-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  村冈阳子 ,  待永广宣 ,  梨木智刚 ,  宫崎司

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。

公开(公告)号：CN105070353B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201510435735.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  村冈阳子 ,  待永广宣 ,  梨木智刚 ,  宫崎司

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

CPC classification number: H01B5/14 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。

公开(公告)号：CN103314127B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180063189.3

申请日：2011-12-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  村冈阳子 ,  待永广宣 ,  梨木智刚 ,  宫崎司

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。

公开(公告)号：CN105452520A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201580001267.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  加藤大贵 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  宫崎司 ,  上田恵梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  G06F3/041 ,  H01B3/10 ,  H01B3/301 ,  H01B3/305 ,  H01B3/306 ,  H01B3/307 ,  H01B3/38 ,  H01B3/423 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01B3/442 ,  H01B3/447 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。

公开(公告)号：CN105070353A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510435735.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  村冈阳子 ,  待永广宣 ,  梨木智刚 ,  宫崎司

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

CPC classification number: H01B5/14 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。