公开(公告)号：CN105659198B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580002254.X

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤大贵 ,  川上梨恵 ,  藤野望 ,  梨木智刚

IPC: H01B3/10 ,  H01B3/30 ,  H01B3/38 ,  H01B3/42 ,  H01B3/44 ,  H01B5/14 ,  C23C14/08

Abstract: 透明导电性薄膜(1)依次具备透明基材(2)、第1光学调整层(4)、无机物层(5)和透明导电层(6)。第1光学调整层(4)具有比透明基材(2)的折射率nA更低的折射率nC，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度TC。无机物层(5)具有比第1光学调整层(4)的折射率nC乘以1.13得到的值的绝对值|nC×1.13|更低的折射率nD。

公开(公告)号：CN105452520B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201580001267.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  加藤大贵 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  宫崎司 ,  上田恵梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。

公开(公告)号：CN110033879A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910322990.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  梨木智刚 ,  藤野望 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  黑濑爱美 ,  松田知也

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  G06F3/044

Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。

公开(公告)号：CN105659198A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201580002254.X

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤大贵 ,  川上梨恵 ,  藤野望 ,  梨木智刚

IPC: G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00

Abstract: 透明导电性薄膜(1)依次具备透明基材(2)、第1光学调整层(4)、无机物层(5)和透明导电层(6)。第1光学调整层(4)具有比透明基材(2)的折射率nA更低的折射率nC，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度TC。无机物层(5)具有比第1光学调整层(4)的折射率nC乘以1.13得到的值的绝对值|nC×1.13|更低的折射率nD。

公开(公告)号：CN105637111A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201580002175.9

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  梨木智刚 ,  藤野望 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  黑濑爱美 ,  松田知也

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B1/02 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/325 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/40 ,  B32B27/42 ,  B32B2250/02 ,  B32B2250/03 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/204 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/538 ,  B32B2307/706 ,  B32B2307/732 ,  B32B2457/208 ,  C23C14/02 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/562 ,  C23C14/5806 ,  G06F3/044

Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。

公开(公告)号：CN105452520A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201580001267.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  加藤大贵 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  宫崎司 ,  上田恵梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  G06F3/041 ,  H01B3/10 ,  H01B3/301 ,  H01B3/305 ,  H01B3/306 ,  H01B3/307 ,  H01B3/38 ,  H01B3/423 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01B3/442 ,  H01B3/447 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。