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公开(公告)号：CN105637111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201580002175.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2250/02 , B32B2250/03 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/706 , B32B2307/732 , B32B2457/208 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/562 , C23C14/5806 , G06F3/044
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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公开(公告)号：CN105452520A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201580001267.5
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , B32B7/02 , C23C14/086 , C23C14/10 , G06F3/041 , H01B3/10 , H01B3/301 , H01B3/305 , H01B3/306 , H01B3/307 , H01B3/38 , H01B3/423 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01B3/442 , H01B3/447 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
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公开(公告)号：CN102667545B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201080052126.3
申请日：2010-11-09
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 公开了一种红外线反射基板，其设置有红外线反射层、配置在所述红外线反射层表面上的保护层和从背面侧支承所述红外线反射层的透明基板，其中所述保护层由聚环烯烃层形成。
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公开(公告)号：CN101221935B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200710195328.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明导电膜，在有机高分子膜基材上形成有Al2O3薄膜，并在该Al2O3薄膜上形成有掺杂Ga和Al中至少任意一种的ZnO的ZnO类薄膜。所述透明导电膜的ZnO类薄膜的膜厚变薄时(特别是膜厚为150nm左右以下时)，为低电阻值，且即使在湿热环境下电阻值的变化率也小。
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公开(公告)号：CN101221935A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710195328.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明导电膜，在有机高分子膜基材上形成有Al2O3薄膜，并在该Al2O3薄膜上形成有掺杂Ga和Al中至少任意一种的ZnO的ZnO类薄膜。所述透明导电膜的ZnO类薄膜的膜厚变薄时(特别是膜厚为150nm左右以下时)，为低电阻值，且即使在湿热环境下电阻值的变化率也小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105492653B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且2.8×10‑4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN105452520B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580001267.5
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
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公开(公告)号：CN104919542B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201480005116.2
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且自前述薄膜基材侧夹着至少1层底涂层设置有前述透明导电膜，且前述底涂层的至少1层通过干法而形成。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN104937676B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480005117.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.2。本发明的透明导电性薄膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN103839607B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310597960.6
申请日：2013-11-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , H01B1/08 , Y10T428/265
Abstract: 提供结晶性优良，比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜（1），包含：膜基材（2）、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层（3）。多晶层（3），在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层（3）的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层（3）的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层（3）的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。
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