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公开(公告)号：CN104981890A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201480008053.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02485 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/03923 , H01L31/03928 , H01L31/065 , H01L31/0749 , Y02E10/50 , Y02E10/541 , Y02E10/543
Abstract: 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜以及使用该CIGS膜来抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池。用作该CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜具有：第1区域，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；第2区域，随着从该第1区域上至规定的第1厚度位置为止变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而，在上述第2区域上具有向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域。
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公开(公告)号：CN102574069B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201080045822.1
申请日：2010-10-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J7/123 , B01D69/105 , B01D69/12 , B01D71/46 , B01D71/56 , C02F1/441 , C08J7/12 , C08J2363/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种耐化学品性优异，并且难以产生表层浮起的复合半透膜的制造方法。本发明的复合半透膜的制造方法，其特征在于，对环氧树脂多孔性支承体的将要形成表层的表面实施大气压等离子体处理，然后在该表面形成表层。
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公开(公告)号：CN104603957B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201380043997.2
申请日：2013-06-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 为了提供转换效率高的化合物太阳能电池以及能够以低成本制造其的方法，提供在基板1上具备CIGS光吸收层3、缓冲层5和表面电极层6的化合物太阳能电池，在CIGS光吸收层3与缓冲层5之间，设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层4。Zn(OX，S1‑X)···(1)(其中，X为0.9
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公开(公告)号：CN104137273A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010237.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L31/18 , C23C14/0623 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C14/3464 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01L31/0322 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 为了提供能够以低成本制造高转换效率的化合物太阳能电池的方法，假定相对于基板(1)的层形成面垂直状延伸的假想中心轴X时，在该假想中心轴X的两侧，以相对的状态配置2张溅射用阴极靶材(6)、(6’)，并通过使用高频(RF)电源、或组合使用直流(DC)电源和高频(RF)电源的溅射法来进行缓冲层的形成。
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公开(公告)号：CN102574069A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045822.1
申请日：2010-10-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J7/123 , B01D69/105 , B01D69/12 , B01D71/46 , B01D71/56 , C02F1/441 , C08J7/12 , C08J2363/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种耐化学品性优异，并且难以产生表层浮起的复合半透膜的制造方法。本发明的复合半透膜的制造方法，其特征在于，对环氧树脂多孔性支承体的将要形成表层的表面实施大气压等离子体处理，然后在该表面形成表层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110325466B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201880012926.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供如下的片材供给方法和该片材供给方法所使用的片材供给装置，其在辊对辊方式中，不会使供给过程中的片材所经过的位置因该片材的供给过程和批次的不同而产生偏差，而是稳定。即，通过在供给片材(2)的至少一部分区间中支承片材(2)的两侧缘部，以片材(2)的宽度方向的中央部为最下部来使该片材(2)挠曲，在该状态下供给片材(2)。上述支承通过例如在片材(2)的两侧缘部形成通孔(2a)并从片材(2)的下侧在该通孔(2a)中插入形成于臂(12)的一端部上表面的突起部(12a)来进行。
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公开(公告)号：CN104603957A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380043997.2
申请日：2013-06-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 为了提供转换效率高的化合物太阳能电池以及能够以低成本制造其的方法，提供在基板1上具备CIGS光吸收层3、缓冲层5和表面电极层6的化合物太阳能电池，在CIGS光吸收层3与缓冲层5之间，设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层4。Zn(OX，S1-X)···(1)(其中，X为0.9
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公开(公告)号：CN101221935B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200710195328.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明导电膜，在有机高分子膜基材上形成有Al2O3薄膜，并在该Al2O3薄膜上形成有掺杂Ga和Al中至少任意一种的ZnO的ZnO类薄膜。所述透明导电膜的ZnO类薄膜的膜厚变薄时(特别是膜厚为150nm左右以下时)，为低电阻值，且即使在湿热环境下电阻值的变化率也小。
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公开(公告)号：CN101221935A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710195328.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明导电膜，在有机高分子膜基材上形成有Al2O3薄膜，并在该Al2O3薄膜上形成有掺杂Ga和Al中至少任意一种的ZnO的ZnO类薄膜。所述透明导电膜的ZnO类薄膜的膜厚变薄时(特别是膜厚为150nm左右以下时)，为低电阻值，且即使在湿热环境下电阻值的变化率也小。
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公开(公告)号：CN110325466A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880012926.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供如下的片材供给方法和该片材供给方法所使用的片材供给装置，其在辊对辊方式中，不会使供给过程中的片材所经过的位置因该片材的供给过程和批次的不同而产生偏差，而是稳定。即，通过在供给片材(2)的至少一部分区间中支承片材(2)的两侧缘部，以片材(2)的宽度方向的中央部为最下部来使该片材(2)挠曲，在该状态下供给片材(2)。上述支承通过例如在片材(2)的两侧缘部形成通孔(2a)并从片材(2)的下侧在该通孔(2a)中插入形成于臂(12)的一端部上表面的突起部(12a)来进行。
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