可重构智能表面单元结构、RIS单元组件及RIS系统

    公开(公告)号:CN119009496A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411008999.4

    申请日:2024-07-26

    Inventor: 李琴芳 谭冠南

    Abstract: 本公开提供一种可重构智能表面单元结构、RIS单元组件及RIS系统。上述的可重构智能表面单元结构包括依次层叠设置的超表面反射板、第一接地板、馈线结构、第二接地板、电极层以及控制电路层。其中,第一接地板开设有耦合槽,馈线结构用于通过耦合槽将能量耦合到超表面反射板,使超表面反射板产生电磁波信号。超表面反射板具有铁电薄膜层,电极层具有上电极及下电极,上电极及下电极分别与铁电薄膜层电连接,使电极层用于向铁电薄膜层施加电场,控制电路层与电极层电连接,控制电路层用于动态调节施加在铁电薄膜层的电压。如此,使得RIS系统的能耗较低、动态调节能力和数据传输速率较好、结构较简单以及可靠性较高。

    1-bit双极化重构装置以及5G通讯设备

    公开(公告)号:CN118336355A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410410173.4

    申请日:2024-04-07

    Abstract: 本公开提供一种1‑bit双极化重构装置以及5G通讯设备。所述装置包括双极化匹波座、微带辐射组件以及单波束调相组件;微带辐射组件包括微带贴片辐射件以及微带滤波件,微带贴片辐射件包括相互连接的第一介质层以及地板层;微带滤波件包括第二介质层以及至少一个直流微带电板;单波束调相组件包括第一金属条带、第二金属条带、第一开关管以及第二开关管;至少一个直流微带电板与第一开关管的控制端以及第二开关管的控制端电连接。通过调控第一开关管以及第二开关管,以切换其导通与截止状态,使得1‑bit双极化重构装置具有相位差,便于消除产生的对称波束,有效地抑制了对称波束的产生,以实现了单波束扫描的功能。

    一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面

    公开(公告)号:CN116505273A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310255145.5

    申请日:2023-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面,包括:多个双极化相位独立可调的可重构超表面单元;每个超表面单元包括微带贴片辐射层、与微带贴片辐射层相贴设置的耦合缝隙地板层、与耦合缝隙地板层相贴设置的微带线调相层及金属反射板;微带贴片辐射层包括第一介质板及与第一介质板相贴设置的第二介质板,第一介质板与第二介质板上均设置有金属贴片;耦合缝隙地板层上开设有一工作于TM极化的第一异形缝隙与一个工作于TE极化的第二异形缝隙;微带线调相层包括相互独立的TE极化调相微带线与TM极化调相微带线。根据本发明,可以实现斜入射范围内准N比特调相,具有双极化单波束扫描的功能。

    天线模组及电子设备
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113594687B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202010370756.0

    申请日:2020-04-30

    Abstract: 本申请提供了一种能够提高工作带宽及降低扫描损耗的天线模组及电子设备。天线模组包括第一天线层、第二天线层、至少一个第一导电件及至少一个第二导电件。第一天线层包括至少一个主辐射单元及至少一个馈线部,主辐射单元包括至少两个对称且相间隔设置的主辐射贴片,馈线部位于或对应于相邻的两个主辐射贴片之间的间隙。第二天线层与第一天线层层叠设置,第二天线层包括参考地及至少一个微带线,参考地与主辐射贴片相对设置,微带线与参考地绝缘设置。第一导电件电连接主辐射贴片和参考地;微带线的一端用于电连接射频收发芯片;第二导电件的一端电连接馈线部,另一端电连接微带线的另一端。

    一种降低阵列天线单元间耦合的去耦装置及阵列天线

    公开(公告)号:CN115101934A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210829291.X

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 本申请涉及天线技术领域,提供一种降低阵列天线单元间耦合的去耦装置及阵列天线,所述阵列天线包括:辐射板,所述辐射板上设置有多个以阵列形式排布的辐射单元;所述阵列天线还包括在相邻两个辐射单元之间设置的至少去耦装置,所述去耦装置包括第一隔离体和接地体;所述第一隔离体包括分别耦合相邻两个辐射单元的第一隔离区域和第二隔离区域,所述第一隔离区域和第二隔离区域均连接有一个独立的接地体。在实际应用过程中,通过在相邻辐射单元之间设置的去耦装置,利用所述去耦装置与辐射单元耦合,增加相邻辐射单元之间的隔离度,本申请提供的去耦装置尺寸小,结构简单,可以有效改善阵列天线的辐射单元间的耦合,提升阵列天线的辐射性能。

    天线模组及电子设备
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113594687A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202010370756.0

    申请日:2020-04-30

    Abstract: 本申请提供了一种能够提高工作带宽及降低扫描损耗的天线模组及电子设备。天线模组包括第一天线层、第二天线层、至少一个第一导电件及至少一个第二导电件。第一天线层包括至少一个主辐射单元及至少一个馈线部,主辐射单元包括至少两个对称且相间隔设置的主辐射贴片,馈线部位于或对应于相邻的两个主辐射贴片之间的间隙。第二天线层与第一天线层层叠设置,第二天线层包括参考地及至少一个微带线,参考地与主辐射贴片相对设置,微带线与参考地绝缘设置。第一导电件电连接主辐射贴片和参考地;微带线的一端用于电连接射频收发芯片;第二导电件的一端电连接馈线部,另一端电连接微带线的另一端。

    一种非金属波导阵列天线
    17.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218005249U

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202221716543.X

    申请日:2022-06-29

    Inventor: 林仕飞 谭冠南

    Abstract: 本申请涉及阵列天线技术领域,提供一种非金属波导阵列天线,该非金属波导阵列天线包括腔体天线板,和层叠设置于腔体天线板上的天线发射板;天线发射板和腔体天线板均采用低翘曲的高性能工程塑料一体成型,且表面均设置有金属镀层;天线发射板上设置有矩形缝隙形成的辐射阵列,腔体天线板上设置有波导传输腔体构造。本申请采用高性能工程塑料代替金属基材,通过模具设计和加工控制,得到高尺寸精度的塑料工件,而后利用塑胶表面金属化,借助回流焊/超声波工艺,制备波导阵列天线组件。与现有的金属波导阵列天线相比,本申请在保证高增益要求的同时,具备轻量化、成本低、可批量化的优点。

    高交叉极化比天线单元、天线及通讯基站

    公开(公告)号:CN215600553U

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202121169487.8

    申请日:2021-05-28

    Abstract: 本申请公开了一种高交叉极化比天线单元、天线及通讯基站,其中,高交叉极化比天线单元包括:上辐射片、下辐射片以及馈电网络;所述上辐射片平行设置于所述下辐射片的正上方;所述馈电网络的输出端连接所述下辐射片;所述下辐射片通过空气耦合上辐射片;所述上辐射片和下辐射片的形状为圆形或多边形;所述上辐射片和下辐射片的尺寸根据天线的尺寸设置;所述上辐射片上的两端对称设置有延伸贴片,所述延伸贴片的形状根据天线的应用场景设置,所述延伸贴片的尺寸根据天线的频段设置,所述延伸贴片用于改善轴向方向的交叉极化比。采用前述的方案,通过改善电流分布,有效的提高了天线交叉极化比,且结构简单,成本更低。

    一种用于SIP射频模组的封装天线

    公开(公告)号:CN218123705U

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202221970699.0

    申请日:2022-07-28

    Abstract: 本申请提供一种用于SIP射频模组的封装天线,包括:电路板;设置在电路板一侧的介质层,介质层包括依次连接的天线介质层、传输线介质层和植球介质层,植球介质层和电路板相接;天线介质层内部设置有天线模块,天线模块包括天线辐射体,天线辐射体设置在天线介质层远离传输线介质层一侧的外表面,天线辐射体为溅射形成的金属层;传输线介质层内部设置有射频传输线模块;植球介质层内部设置有植球模块和芯片裸片;其中,芯片裸片设置在植球介质层内部靠近传输线介质层的一侧。如此,通过在多层介质层内设置天线模块、射频传输线模块和植球模块,并将溅射形成的金属层作为天线辐射体,提高封装天线的整合度,解决现有封装天线的整合度较低问题。

    一种降低阵列天线单元间耦合的去耦装置及阵列天线

    公开(公告)号:CN218005256U

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202221668143.6

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 本申请涉及天线技术领域,提供一种降低阵列天线单元间耦合的去耦装置及阵列天线,所述阵列天线包括:辐射板,所述辐射板上设置有多个以阵列形式排布的辐射单元;所述阵列天线还包括在相邻两个辐射单元之间设置的至少去耦装置,所述去耦装置包括第一隔离体和接地体;所述第一隔离体包括分别耦合相邻两个辐射单元的第一隔离区域和第二隔离区域,所述第一隔离区域和第二隔离区域均连接有一个独立的接地体。在实际应用过程中,通过在相邻辐射单元之间设置的去耦装置,利用所述去耦装置与辐射单元耦合,增加相邻辐射单元之间的隔离度,本申请提供的去耦装置尺寸小,结构简单,可以有效改善阵列天线的辐射单元间的耦合,提升阵列天线的辐射性能。

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