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公开(公告)号：CN104603699A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201280075578.2
申请日：2012-09-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G06F1/206 , G01K13/02 , G06F11/3051 , H05K7/20136 , H05K7/207 , H05K7/20836 , Y02D10/16
Abstract: 本发明提供一种能够抑制积分饱和所引起的控制性能的降低，并能够高效地冷却计算机等的电子设备的温度管理系统。温度管理系统具有温度检测部(32)，其分别检测发热量根据运转状态而变化的多个电气设备的温度；冷却装置(12)，其对电气设备进行冷却；以及控制部(30)，其根据温度检测部(32)的输出来控制冷却装置(12)。控制部(30)具有空转状态判定部(44)，其判定电子设备是否是空转状态；操作量运算部(40)，其具备积分器(50)，并根据目标值与控制量的差值来运算操作量，以及积蓄值修正部(45)，其在空转状态判定部(44)判定为空转状态时将积分器(50)的积蓄值修正为规定的值。
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公开(公告)号：CN104272215A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201280072054.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K7/20736 , C09K5/041 , G06F1/20 , H05K7/1497 , H05K7/20745 , H05K7/20836
Abstract: 本发明提供一种提高数据中心的空调效率的模块化数据中心及其控制方法。模块化数据中心具备：箱体(21)，其具备第1进气口(21a)、第2进气口(21b)以及排气口(21c)；空调机(31)，其设于箱体(21)内，从第1进气口(21a)引进外部空气(A)，并且使外部空气(A)与制冷剂(W)直接接触来生成第1气流(B1)；风扇单元(38)，其设于箱体(21)内，从第2进气口(21b)引进外部空气(A)来生成第2气流(B2)；以及电子设备(44)，其设于箱体(21)内，通过第1气流(B1)与第2气流(B1)的混合气流(C)来进行气冷，并且将气冷后的排气流(E)在排气口(21c)释放，第1进气口(21a)与第2进气口(21b)分别设于箱体(21)的不同的面(21x、21y)。
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公开(公告)号：CN100390589C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510059025.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G02F1/313 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B6/3546 , G02F2202/32
Abstract: 一种光偏转元件被成形以包括：设置在光波导上的棱镜电极；第一光子晶体结构，在光传播方向上棱镜电极的前方、在光通过棱镜电极之后的位置上设置；控制电极，经由第一光子晶体结构上的光波导而面对反电极层设置；以及第二光子晶体结构，平行于光传播方向在棱镜电极的侧向设置，并由被周期性排列的多种物质构造。本发明的光偏转元件能够使用光子晶体以期望的大偏转角使光偏转，并且能够在宽的角度范围内精确并且高速地控制偏转角，从而有助于装置的尺寸减小和集成。另外，本发明还提供一种使用上述光偏转元件的多通道光转换器。
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公开(公告)号：CN1711624A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103011.2
申请日：2003-11-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109781934A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201711121487.9
申请日：2017-11-13
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够数据准确化，维护的周期长，并减少花费以及维护的成本的环境传感器检测数据的处理装置、环境传感器系统、环境传感器检测数据的处理方法以及存储介质。环境传感器检测数据的处理装置，具有：测量数据输入部，其取得多个学习测量用数据和实际测量数据；真值取得部，其取得真值；修正特性生成部，其将多个学习测量用数据与相应的真值进行关联而得到关联数据，反复执行多次得到修正特性的处理，并基于真值验证修正特性而从多个修正特性中选取最优修正特性；以及测量数据修正部，其基于最优修正特性对实际测量数据进行修正。
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公开(公告)号：CN104272215B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201280072054.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种提高数据中心的空调效率的模块化数据中心及其控制方法。模块化数据中心具备：箱体(21)，其具备第1进气口(21a)、第2进气口(21b)以及排气口(21c)；空调机(31)，其设于箱体(21)内，从第1进气口(21a)引进外部空气(A)，并且使外部空气(A)与制冷剂(W)直接接触来生成第1气流(B1)；风扇单元(38)，其设于箱体(21)内，从第2进气口(21b)引进外部空气(A)来生成第2气流(B2)；以及电子设备(44)，其设于箱体(21)内，通过第1气流(B1)与第2气流(B1)的混合气流(C)来进行气冷，并且将气冷后的排气流(E)在排气口(21c)释放，第1进气口(21a)与第2进气口(21b)分别设于箱体(21)的不同的面(21x、21y)。
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公开(公告)号：CN103959925A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201180075184.2
申请日：2011-12-01
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K7/20736 , G06F1/206 , G06F2200/201 , H05K7/20818 , H05K7/20836 , Y02D10/16
Abstract: 本发明提供电子设备用机柜以及信息处理装置，即使每个机柜的发热量达到30kW或者30kW以上也能够高效地冷却电子设备。电子设备用机柜(10)具有包围第一空间的多个板(10a、10b、10c、…)。另外，电子设备用机柜(10)具有：配置在第一空间内且收纳电子设备(15)的电子设备收纳部(11)；配置在第一空间内且从电子设备收纳部(11)相隔开的位置的热交换器(12)；设置于电子设备收纳部(11)与热交换器(12)之间且与第一空间内的其他空间分离的第二空间(21)；以及使第一空间内的空气按电子设备收纳部(11)、第二空间(21)以及热交换器(12)的顺序循环的送风机(13)。
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公开(公告)号：CN100449357C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200510059026.4
申请日：2005-03-24
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G02F1/313 , G02F2203/06
Abstract: 本发明涉及一种光波导的芯层被生长为由具有斜方六面体结构的电光材料组成并且在主面上具有(100)晶体取向的基板上方生长的薄膜。本发明的一个目的在于提供一种利用电光效应以容易并稳妥地实现高速驱动的光元件，其具有极为简单的结构并且没有例如光学损耗的任何特性降低，并且能够实现进一步缩小尺寸；本发明还提供一种应用该光元件的光转换器。该光元件包括：基板；及至少一层电光效应薄膜，形成在该基板上方并且具有电光效应，该电光效应薄膜具有至少一个偏振轴，并且所有偏振轴对于入射光的TE模式分量相同，而且对于入射光的TM模式分量相同。该光转换器包括：光波导，多个输入通道，第一光偏转器，多个输出通道，以及第二光偏转器。
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公开(公告)号：CN100376015C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200380103011.2
申请日：2003-11-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。
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