公开(公告)号：CN1735964A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03825892.7

申请日：2003-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供一种可以抑制铜布线中的空隙的生长的半导体装置。该半导体装置具有：半导体基板；形成于所述半导体基板上方的绝缘层；第1大马士革布线，其被嵌入所述绝缘层中，包括限定底面和侧面并在内侧限定第1中空部的阻挡金属层、配置在该第1中空部内并在内侧限定第2中空部的铜布线层、配置在该第2中空部内并与所述阻挡金属层分离的辅助阻挡金属层；配置在所述第1大马士革布线和绝缘层上的绝缘性防止铜扩散膜。

公开(公告)号：CN1231970C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02157548.7

申请日：2002-12-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  清水纪嘉 ,  铃木贵志

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第一绝缘膜的表面构成的一个平整表面上，以覆盖第一布线；在第二绝缘膜中形成的布线沟槽；在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布线；在第二绝缘膜中形成的伪连接孔，以从布线沟槽延伸到不形成第一布线的区域；第二布线，其被埋在该连接孔和布线沟槽中，以电连接到第一布线，并且还被埋在伪连接孔中，并且被形成为使得第二布线的表面与第一绝缘膜的表面构成一个平整的表面，以及形成在所述第二布线上方并电连接至第二布线的上部布线。

公开(公告)号：CN1445848A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119849.X

申请日：2003-03-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  河野通有 ,  難波浩司 ,  助川和雄 ,  长谷川巧 ,  泽田丰治 ,  三谷纯一

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027

Abstract: 提供一个主壁面部分以包围集成电路部分。“L”形状的副壁面部分被提供在主壁面部分和集成电路部分的每个边角之间。因此，即使由于热处理等原因导致应力集中，该应力被分散到主壁面部分和副壁面部分中，从而与现有技术相比不容易出现层面之间的剥离和裂缝。另外，即使在边角处出现裂缝等情况，则当主壁面部分和副壁面部分相互接合时，来自外部的潮气也不容易进入该集成电路部分。因此，可以保证极高的防潮性。

公开(公告)号：CN1428855A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02157548.7

申请日：2002-12-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  清水纪嘉 ,  铃木贵志

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第二绝缘膜的表面相连续的一个基本上平整表面上，以覆盖第一布线；在第二绝缘膜中形成第一布线沟槽；在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布线；在第二绝缘膜中形成的伪连接孔，以从布线沟槽延伸到不形成第一布线的区域；以及第二布线，其被埋在该连接孔和布线沟槽中，以电连接到第一布线，并且还被埋在伪连接孔中，并且被形成为使得第二布线的表面与第一绝缘膜的表面构成一个基本上平整的表面。