公开(公告)号：CN1290186C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03142424.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡邉健一 ,  河野通有

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成接触图形之后，在接触图形上形成由第一阻挡金属膜和第一导体图形构成的第一布线图形。形成具有这种结构的防潮环：在上端部分第一阻挡金属膜的外围部分与第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分接触，其中第一阻挡金属膜的外围部分覆盖第一导体图形外围侧上的侧壁面，第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分覆盖通孔接触部分的底面，并且在从第一阻挡金属膜的侧面向半导体器件的外侧偏移的位置形成所述第二阻挡金属膜的侧面。这导致在从半导体衬底到作为最上层的氧化硅膜的整个区域中无间断地形成例如Ta、TiN等阻挡金属膜，由此提高了用于防止破裂和湿气进入的粘附性。

公开(公告)号：CN1445848A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119849.X

申请日：2003-03-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  河野通有 ,  難波浩司 ,  助川和雄 ,  长谷川巧 ,  泽田丰治 ,  三谷纯一

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027

Abstract: 提供一个主壁面部分以包围集成电路部分。“L”形状的副壁面部分被提供在主壁面部分和集成电路部分的每个边角之间。因此，即使由于热处理等原因导致应力集中，该应力被分散到主壁面部分和副壁面部分中，从而与现有技术相比不容易出现层面之间的剥离和裂缝。另外，即使在边角处出现裂缝等情况，则当主壁面部分和副壁面部分相互接合时，来自外部的潮气也不容易进入该集成电路部分。因此，可以保证极高的防潮性。

公开(公告)号：CN1800972A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510128564.4

申请日：2003-03-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  河野通有 ,  難波浩司 ,  助川和雄 ,  长谷川巧 ,  泽田丰治 ,  三谷纯一

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00

Abstract: 提供一种相移掩膜，其中包括：形成在透明基片上的相移膜；以及形成在该透明基片的划线区域中的遮光膜的相移掩膜，其中由所述划线区域所包围的区域包括要形成集成电路部分的集成电路区域，以及要形成在所述集成电路部分的外围的外围边缘部分的外围边缘区域，以及所述遮光膜至少形成在一部分所述外围边缘区域和所述集成电路区域中。该相移掩膜用于制造具有防潮性能的半导体器件。

公开(公告)号：CN1467837A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03142424.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡邉健一 ,  河野通有

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成接触图形之后，在接触图形上形成由第一阻挡金属膜和第一导体图形构成的第一布线图形。形成具有这种结构的防潮环：在上端部分第一阻挡金属膜的外围部分与第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分接触，其中第一阻挡金属膜的外围部分覆盖第一导体图形外围侧上的侧壁面，第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分覆盖通孔接触部分的底面。这导致在从半导体衬底到作为最上层的氧化硅膜的整个区域中无间断地形成例如Ta、TiN等阻挡金属膜，由此提高了用于防止破裂和湿气进入的粘附性。

公开(公告)号：CN1329982C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03119849.X

申请日：2003-03-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  河野通有 ,  難波浩司 ,  助川和雄 ,  长谷川巧 ,  泽田丰治 ,  三谷纯一

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027

Abstract: 提供一个主壁面部分以包围集成电路部分。“L”形状的副壁面部分被提供在主壁面部分和集成电路部分的每个边角之间。因此，即使由于热处理等原因导致应力集中，该应力被分散到主壁面部分和副壁面部分中，从而与现有技术相比不容易出现层面之间的剥离和裂缝。另外，即使在边角处出现裂缝等情况，则当主壁面部分和副壁面部分相互接合时，来自外部的潮气也不容易进入该集成电路部分。因此，可以保证极高的防潮性。