公开(公告)号：CN102646704B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210033132.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L23/29 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、电源装置、放大器以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在衬底上方的半导体层；形成在半导体层上的绝缘膜；和形成在绝缘膜上的电极。绝缘膜在半导体层一侧的膜应力低于在电极一侧的膜应力。

公开(公告)号：CN102456730B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110326799.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  金村雅仁 ,  中村哲一 ,  宫岛丰生 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。

公开(公告)号：CN103229283B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080070366.6

申请日：2010-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛豊生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。

公开(公告)号：CN103000685B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210334605.5

申请日：2012-09-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  武田正行

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L23/00 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法、电源装置以及高频放大单元。一种半导体器件，包括化合物半导体多层结构、覆盖化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜、以及布置在化合物半导体多层结构上方的栅电极，其中含氟阻挡膜布置在栅电极与化合物半导体多层结构之间。

公开(公告)号：CN102651308B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201210042246.6

申请日：2012-02-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  武田正行 ,  中村哲一 ,  今纯一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/67057 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法，所述制造半导体器件的方法包括：以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及将半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。

公开(公告)号：CN102456730A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110326799.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  金村雅仁 ,  中村哲一 ,  宫岛丰生 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。

公开(公告)号：CN1701419A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN03825348.8

申请日：2003-02-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  武田正行

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541 ,  H01L27/11543

Abstract: 本发明目的在于提供一种固化耐腐蚀性差的抗蚀剂图形的表面以提高其耐腐蚀性且适合于微细、高精细的图形形成的表面固化抗蚀剂图形及其有效的制造方法。本发明的表面固化抗蚀剂图形的制造方法是一种表面具有耐腐蚀性的表面固化抗蚀剂图形的制造方法，其特征在于，在抗蚀剂图形上选择性地淀积有机化合物。优选地，使用介电气体的等离子体来进行上述淀积的方式、对向设置在衬底上淀积的有机化合物和被处理对象来进行上述淀积的方式，优选从与淀积有有机化合物的衬底侧相反的一侧导入上述介电气体的等离子体等。