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公开(公告)号：CN102046616B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200880129490.8
申请日：2008-05-29
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 野崎耕司
IPC: C07D339/08 , C08F28/06 , C08L41/00 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C07D339/08 , C08F220/18 , C08F220/38 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 本发明提供一种不损害抗蚀剂所需的透明性、酸反应性而有利于抗蚀剂基材树脂的高折射率化的二噻烷衍生物、以该二噻烷衍生物作为构成成分的聚合物以，含有该聚合物的抗蚀剂组合物，以及使用该抗蚀剂组合物的半导体装置的制造方法。本发明的二噻烷衍生物，其特征在于：具有下述通式(1)所示的结构。在该通式(1)中，R1为H或CH3基。本发明的聚合物，其特征在于，作为构成成分含有本发明的二噻烷衍生物。
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公开(公告)号：CN103226285A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310078760.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供图案形成方法和半导体装置的制造方法，即，一种图案形成方法，该图案形成方法包含第1抗蚀剂图案形成工序、被覆层形成工序、以及第2抗蚀剂图案形成工序，被覆层形成工序中使用的所述被覆材料包含水溶性树脂、以及特定的通式化合物。
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公开(公告)号：CN102681338A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210020305.X
申请日：2012-01-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/405 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法。本发明涉及的抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵，其中n是8～18的整数。通式(1)
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公开(公告)号：CN101226335B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200710002394.4
申请日：2007-01-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/004 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的目的是提供一种形成抗蚀图案的方法，其中ArF准分子激光可用作图案化的曝光光源，抗蚀图案可不依赖于抗蚀图案尺寸稳定地增厚到预定厚度，且微小空间图案的精细度可超过曝光设备的曝光或分辨率的极限。本发明的形成抗蚀图案的方法至少包括：形成抗蚀图案，涂覆抗蚀图案增厚材料以覆盖该抗蚀图案的表面，焙烘该抗蚀图案增厚材料，显影和分离该抗蚀图案增厚材料，其中涂覆、焙烘和显影步骤中的至少一个步骤被执行多次。
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公开(公告)号：CN101833243B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010179701.8
申请日：2006-07-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物能够通过抗蚀剂图案增厚材料使抗蚀剂图案均匀地增厚，而与抗蚀剂图案的方向、间隔变化以及抗蚀剂图案增厚材料的成分无关；并且能够以低成本、容易并有效地形成精细的抗蚀剂空间图案，突破曝光设备的光源的曝光极限。该抗蚀剂组合物包含脂环化合物(熔点：90℃-150℃)和树脂。制造半导体器件的方法包括如下步骤：使用抗蚀剂组合物在待处理的工件表面上形成抗蚀剂图案，并在该工件表面上涂覆抗蚀剂图案增厚材料，使其覆盖该抗蚀剂图案的表面，由此使该抗蚀剂图案增厚；以及通过使用增厚的抗蚀剂图案作为掩模蚀刻该工件表面而对该工件表面进行图案化。
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公开(公告)号：CN101666977A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810215302.5
申请日：2008-09-01
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0758 , G03F7/0045 , G03F7/2041
Abstract: 本发明涉及一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物包括基体树脂，该基体树脂通过酸转化为碱溶性，根据发明实施例的一个方面。抗蚀剂组合物进一步包含具有含硅侧链树脂，该树脂能通过酸转化为碱溶性的，其中硅含量与基体树脂与该树脂的总量相比，为1wt％或更低。
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公开(公告)号：CN100485526C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200410088021.X
申请日：2004-10-29
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法。该抗蚀图增厚材料能够增厚抗蚀图，并且超越在图案化期间所用的曝光光线的曝光限制形成精细的空间图案。该抗蚀图增厚材料包含树脂和相移催化剂。在形成抗蚀图的方法及制造半导体器件的方法中，本发明的抗蚀图增厚材料被适当地利用。
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公开(公告)号：CN100435355C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN03819984.X
申请日：2003-08-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/28 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/0272 , H01L29/42316
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种增厚通过通常的电子束曝光形成的开口并缩小开口尺寸，由此可高效率地制造微细栅电极的方法。本发明的栅电极的制造方法包括：在栅电极形成面上，形成在最下层包含电子束保护层的叠层保护膜的叠层保护膜形成工序；在最下层以外的层形成开口的开口形成工序；在最下层形成栅电极用开口的栅电极用开口形成工序；选择性地缩小栅电极用开口的栅电极用开口缩小工序；在栅电极用开口形成栅电极的栅电极形成工序。优选方式为，栅电极用开口缩小工序是至少进行一次在最下层的表面涂布保护膜图形增厚材料，并使栅电极用开口的开口尺寸缩小的处理的工序，包括在栅电极用开口缩小工序之前，使电子束入射到栅电极用开口的附近的电子束入射工序等。
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公开(公告)号：CN1713074A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410088021.X
申请日：2004-10-29
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法。该抗蚀图增厚材料能够增厚抗蚀图，并且超越在图案化期间所用的曝光光线的曝光限制形成精细的空间图案。该抗蚀图增厚材料包含树脂和相移催化剂。在形成抗蚀图的方法及制造半导体器件的方法中，本发明的抗蚀图增厚材料被适当地利用。
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公开(公告)号：CN1490672A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03150307.1
申请日：2003-07-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/16 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: H01L27/105 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L27/10844 , H01L27/10894 , H01L27/11526 , H01L27/11541 , H01L27/11543 , H01L28/10
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料可以增厚光刻胶图案并形成精细的中空图案。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；和选自阳离子表面活性剂、两性表面活性剂、以及非离子型表面活性剂中的至少一种，其中非离子表面活性剂选自烷氧基化物表面活性剂、脂肪酸酯表面活性剂、酰胺表面活性剂、醇类表面活性剂和乙二胺表面活性剂。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，在形成光刻胶图案后，将增厚材料施加到图案的表面。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：在下层上形成光刻胶图案后，将增厚材料施加到图案的表面以增厚图案；以及通过利用图案刻蚀对下层制图的步骤。
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