公开(公告)号：CN103022117A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210262950.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  尾崎史朗 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。

公开(公告)号：CN102569377A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110402797.4

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 金村雅仁 ,  吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/47 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件包括：化合物半导体层；第一膜，形成在化合物半导体层的上方，第一膜在与化合物半导体层的界面处处于带负电状态或非带电状态；第二膜，形成在第一膜的上方，第二膜在与第一膜的界面处处于带正电状态；以及栅极，被嵌入在第二膜中形成的开口中。

公开(公告)号：CN102487081A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110402775.8

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛豊生 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种化合物半导体器件及制造方法，该半导体器件包括：电子传输层，形成在衬底上方；电子供应层，形成在电子传输层上方；及覆盖层，形成在电子供应层上方。该覆盖层包括：包含GaN的第一化合物半导体层；包含AlN的第二化合物半导体层，其形成在第一化合物半导体层上方；包含GaN的第三化合物半导体层，其形成在第二化合物半导体层上方；及第一包含AlGaN层和第二包含AlGaN层中的至少一个，第一包含AlGaN层形成在第一化合物半导体层和第二化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大，第二包含AlGaN层形成在第二化合物半导体层和第三化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大。本发明可抑制栅极漏电流和耐压降低、及/或可抑制电流崩塌。

公开(公告)号：CN106057648A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610536760.3

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水早苗 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  宫岛豊生

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1‑xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，所述x值沿所述缓冲层的任意厚度方向连续变化，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。

公开(公告)号：CN102487080B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110342604.0

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/201 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件，其中设置有：第一AlGaN层，形成在衬底的上方；第二AlGaN层，形成在第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在电子渡越层的上方。当第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立。存在于AlGaN层的上表面的负电荷多于存在于AlGaN层的下表面的正电荷。根据本发明的化合物半导体器件，在电子渡越层的下方设置有其中电荷被适当分布的第二AlGaN层，因此可以容易地进行常关操作。

公开(公告)号：CN103715249A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310394830.2

申请日：2013-09-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGaN／GaN HEMT，其包括：电子渡越层；形成在电子渡越层上方的电子供给层；以及形成在电子供给层上方的栅电极，其中仅在电子渡越层的包含在栅电极下方区域中的位置处形成有p型半导体区域。

公开(公告)号：CN103229283A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070366.6

申请日：2010-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛豊生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。

公开(公告)号：CN102637587A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210032005.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  今西健治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

Abstract: 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

公开(公告)号：CN102487080A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110342604.0

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/201 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件，其中设置有：第一AlGaN层，形成在衬底的上方；第二AlGaN层，形成在第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在电子渡越层的上方。当第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立。存在于AlGaN层的上表面的负电荷多于存在于AlGaN层的下表面的正电荷。根据本发明的化合物半导体器件，在电子渡越层的下方设置有其中电荷被适当分布的第二AlGaN层，因此可以容易地进行常关操作。

公开(公告)号：CN101958345A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。