公开(公告)号：CN103022117A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210262950.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  尾崎史朗 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。

公开(公告)号：CN101925247A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202850.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  宫原昭一 ,  千叶洋

IPC: H05H1/50 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/325 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/50

Abstract: 一种膜沉积装置和膜沉积方法，其中该膜沉积装置包括：等离子体生成部，被配置为在阴极靶与阳极之间生成等离子体；膜沉积室，其中放置有基材；以及磁场过滤部，被配置为通过磁场从等离子体移除粒子，并将等离子体转移到膜沉积室。磁场过滤部包括：第一外壳区，被施加有第一电压；以及第二外壳区，沿等离子体的移动方向被设置在第一外壳区的下游，所述第二外壳区被施加有第二电压。本发明的膜沉积装置可在衬底上形成包含减少的粒子数量的高质量和高密度的碳膜。

公开(公告)号：CN100373460C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510007023.6

申请日：2005-01-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  千叶洋 ,  笠松祥治 ,  武藏贵之 ,  押久保由纪子 ,  井谷司

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/72 ,  G11B5/40 ,  G11B5/60

CPC classification number: G11B5/725 ,  G11B5/82

Abstract: 本发明提供一种能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器、一种具有极好的磁头飞行稳定性的磁性记录装置、以及一种在短时间内制造能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器的制造方法。对于该磁性记录介质和磁头滑动器，保护层均由两层组成，即一下层和一在该下层上的上层；使该下层的电离电位小于该上层的电离电位；使该上层的表面自由能为45mN/m或更小；所述上层包含氢和氟中的至少一种元素；并且所述下层包含氮和氧中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN104465744B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201410427698.5

申请日：2014-08-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。

公开(公告)号：CN104425584A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410347680.4

申请日：2014-07-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/778 ,  H01L29/155 ,  H01L29/157

Abstract: 本发明涉及半导体装置。根据本发明的半导体装置包括：在衬底上形成的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅极电极、源极电极和漏极电极。通过交替地和周期性地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层来形成超晶格缓冲层。第一超晶格形成层由AlxGa1-xN形成而第二超晶格形成层由AlyGa1-yN形成，其中满足关系x>y。掺杂到部分或全部第二超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度。

公开(公告)号：CN104078500A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410098707.0

申请日：2014-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种化合物半导体器件，包括：衬底；和形成在衬底之上的化合物半导体层叠结构，该化合物半导体层叠结构包括含杂质的缓冲层，和形成在缓冲层之上的有源层。

公开(公告)号：CN101925247B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201010202850.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  宫原昭一 ,  千叶洋

IPC: H05H1/50 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/325 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/50

Abstract: 一种膜沉积装置和膜沉积方法，其中该膜沉积装置包括：等离子体生成部，被配置为在阴极靶与阳极之间生成等离子体；膜沉积室，其中放置有基材；以及磁场过滤部，被配置为通过磁场从等离子体移除粒子，并将等离子体转移到膜沉积室。磁场过滤部包括：第一外壳区，被施加有第一电压；以及第二外壳区，沿等离子体的移动方向被设置在第一外壳区的下游，所述第二外壳区被施加有第二电压。本发明的膜沉积装置可在衬底上形成包含减少的粒子数量的高质量和高密度的碳膜。

公开(公告)号：CN103715245A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310329317.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体装置，所述半导体装置包括：形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；以及形成在电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且包括具有不同Al组成比的两层或更多层，SLS缓冲层通过将包括AlN的第一晶格层和包括GaN的第二晶格层交替地层叠而形成，并且缓冲层中的各层中与SLS缓冲层接触的一层中的Al组成比大于或等于SLS缓冲层中的Al有效组成比。

公开(公告)号：CN103545361A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310209732.7

申请日：2013-05-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/16

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。所述化合物半导体器件包括：包括有由AlN构成的第一缓冲层和由AlGaN构成并且形成在第一缓冲层上方的第二缓冲层的化合物半导体多层结构，其中第二缓冲层包含碳，以及其中第二缓冲层中的碳浓度随着从第二缓冲层的下表面向第二缓冲层的上表面的距离增加而增加。

公开(公告)号：CN103229283A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070366.6

申请日：2010-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛豊生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。