公开(公告)号：CN101925247A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202850.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  宫原昭一 ,  千叶洋

IPC: H05H1/50 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/325 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/50

Abstract: 一种膜沉积装置和膜沉积方法，其中该膜沉积装置包括：等离子体生成部，被配置为在阴极靶与阳极之间生成等离子体；膜沉积室，其中放置有基材；以及磁场过滤部，被配置为通过磁场从等离子体移除粒子，并将等离子体转移到膜沉积室。磁场过滤部包括：第一外壳区，被施加有第一电压；以及第二外壳区，沿等离子体的移动方向被设置在第一外壳区的下游，所述第二外壳区被施加有第二电压。本发明的膜沉积装置可在衬底上形成包含减少的粒子数量的高质量和高密度的碳膜。

公开(公告)号：CN115461986A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202080100224.3

申请日：2020-05-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 河口研一 ,  宫原昭一

IPC: H03B7/08 ,  G06G7/60 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明提供一种振荡电路以及信息处理装置。实现电路规模的降低。振荡电路(1)具备二极管(D1、D2、D3)、电感器(L1、L2)以及电源部(V1)。二极管(D1、D2、D3)是具有负微分电阻的非线性无源元件。在振荡电路(1)中，具有第一负微分电阻的二极管(D1)和合成电感器(11)串联连接而形成振荡部(10)。合成电感器(11)包含电感器(L1)和电感器(L2)并串联连接电感器(L1、L2)。具有第二负微分电阻的二极管(D2)与电感器(L1)并联连接。具有第三负微分电阻的二极管(D3)与二极管(D1)串联连接并与合成电感器(11)并联连接。而且，从电感器(L1、L2)和二极管(D2)的共用连接点(Vout)输出突发脉冲。

公开(公告)号：CN101925247B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201010202850.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  宫原昭一 ,  千叶洋

IPC: H05H1/50 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/325 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/50

Abstract: 一种膜沉积装置和膜沉积方法，其中该膜沉积装置包括：等离子体生成部，被配置为在阴极靶与阳极之间生成等离子体；膜沉积室，其中放置有基材；以及磁场过滤部，被配置为通过磁场从等离子体移除粒子，并将等离子体转移到膜沉积室。磁场过滤部包括：第一外壳区，被施加有第一电压；以及第二外壳区，沿等离子体的移动方向被设置在第一外壳区的下游，所述第二外壳区被施加有第二电压。本发明的膜沉积装置可在衬底上形成包含减少的粒子数量的高质量和高密度的碳膜。

公开(公告)号：CN115443473A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202080099442.X

申请日：2020-04-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫原昭一

IPC: G06N20/00

Abstract: 本发明抑制储层计算模型的过度学习。储层具有共用的输入层、基于给予至输入层的输入来输出第一读出值和第二读出值的第一输出层和第二输出层，包括具有输入层和第一输出层的第一部分储层、输入层与第二输出层之间的尺寸大于输入层与第一输出层之间的尺寸的第二部分储层，学习处理具有：(1)计算减小第一输出与教师数据的差分的第三输出权重的第一处理，第一输出是由第一输出层基于第一输入而输出的第三读出值与第一输出权重的乘积和值；(2)计算减小第二输出与差分教师数据的差分的第四输出权重的第二处理，第二输出是由第二输出装置基于第一输入而输出的第四读出值与第二输出权重的乘积和值，差分教师数据是第三读出值与第三输出权重的乘积和值与教师数据的差分。

公开(公告)号：CN112488288A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010895138.8

申请日：2020-08-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫原昭一

IPC: G06N3/04 ,  G06N3/063 ,  G06N3/08 ,  G06N3/12

Abstract: 本发明涉及储备池计算机、设计方法、非暂态计算机可读存储介质。一种由计算机执行的储备池设计方法，该计算机被配置成控制包括储备池和输出层的神经网络，储备池包括多个节点并具有在多个节点之间的随机确定的耦接结构，输出层具有针对多个节点中的每个节点设置的权重。在示例中，该方法包括：改变在储备池中包括的多个节点之间的耦接结构；计算针对至神经网络的输入的输出；针对通过该改变而改变的耦接结构中的每个耦接结构，基于输出来更新输出层的权重；根据预定标准对输出进行评估；以及基于通过评估获得的评估结果，从通过该改变而改变的耦接结构中选择预定耦接结构。