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公开(公告)号：CN114318518B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111665014.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
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公开(公告)号：CN115125619A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210815561.1
申请日：2022-07-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，外延片的冷却系统用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，包括旋转装置、监测装置、吹扫装置和控制器，控制器用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域，通过本方案可实时监测外延片表面的温度及应力分布情况，从而消除已发生翘曲的区域，且能预防外延片发生翘曲。
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公开(公告)号：CN114823307A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210681195.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
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公开(公告)号：CN114318518A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111665014.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
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公开(公告)号：CN113688802B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111235190.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及生物信号处理技术领域，具体公开了一种基于肌电信号的手势识别方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：实时获取肌电信号；获取不同分类器对所述肌电信号的分类结果；根据所述分类结果的一致性获取有效结果；将所述有效结果逐个投入第一投票队列中，获取初始手势识别结果；将所述初始手势识别结果逐个投入第二投票队列中，获取最终手势识别结果；该方法利用不同分类器获取具有一致性的有效结果，去除了肌电信号中难以进行准确分类的数据，然后通过第一投票队列和第二投票队列进行两级投票获取最终手势识别结果，有效去除了因噪声数据和分类器缺陷引起的误判结果，具有数据计算量少、识别准确度高、识别效率高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112683286A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110282226.5
申请日：2021-03-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G01C21/32 , G01S19/42 , G08G1/0968 , G09B29/00
Abstract: 本申请公开了一种拓扑路网地图的建立方法、系统、存储介质及电子设备，用于建立拓扑路网地图，方法包括：获取基于交通车辆GPS数据的轨迹数据集；对轨迹数据集进行分段、压缩处理，获取拐点信息；分析拐点信息获取交叉口节点；根据拐点信息和交叉口节点，分析获取道路中心线和道路向量信息，组成拓扑路网地图；本申请通过对交通车辆GPS数据的轨迹数据集进行分段、压缩处理，再进行分析，可快速精准地识别道路交叉口，进而提取道路中心线和道路向量，建立高精度可视化的拓扑路网地图，该建立过程基于大批量的交通车辆GPS数据的轨迹数据集进行分析处理，对GPS采样设备的精度要求不高，且数据获取途径、方式便利，有效节省人力资源、成本。
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公开(公告)号：CN118447964A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410609992.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种工艺参数寻优方法、外延生长方法及相关设备，涉及外延生长领域，其中工艺参数寻优方法包括：在预设范围内随机生成多个工艺参数组；基于预先建立好的仿真模型根据多个工艺参数组进行模拟实验，输出各工艺参数组对应的模拟生长结果参数；基于蚁群算法根据神经网络模型、工艺参数组以及神经网络模型生成的生长结果参数进行寻优以获取最优工艺参数组。本申请的工艺参数寻优方法能解决在获取使外延薄膜均匀性及生长速率达到最优的工艺参数时进行大量外延生长实验，导致实验成本和人工成本高并且材料生长时间长的问题，从而能达到节省实验成本，缩短生长结果参数获取时间以及准确获取最优工艺参数组的效果。
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公开(公告)号：CN114808068B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210191513.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阴极，Nb金属板作为阳极放入盛有NaCl‑NbCl5混合材料的电解槽中；在惰性气体氛围下将NaCl‑NbCl5混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
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公开(公告)号：CN116539230A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310635028.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种传片漏气检测装置及方法、传片装置及方法，其中传片漏气检测装置，应用在外延设备中，外延设备包括传送腔和反应腔，传片漏气检测装置包括过渡腔和用于向过渡腔和传送腔充入惰性气体的充气装置，传送腔通过过渡腔与反应腔连通，传送腔与过渡腔之间设置有第一插板阀，过渡腔和反应腔之间设置有第二插板阀，传送腔内有第一真空计，过渡腔内有氧气传感器和第二真空计，通过该方式可实时检测传送腔内是否存在漏气点，从而防止空气进入反应腔中与反应腔中的氢气结合产生爆炸。
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公开(公告)号：CN115627531A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211399678.2
申请日：2022-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的气浮传输系统、方法及外延设备，其中，系统包括：传输底座，具有朝上设置的气浮通道，气浮通道具有阵列设置多个气浮管组；托盘，用于承托衬底，放置在传输底座上；传输底座包括固定在外延设备的反应腔中的第一气浮底座及固定在反应腔外的第二气浮底座；位置检测组件，用于获取托盘的位置信息；多个进出气组件，分别与每个气浮管组连接，用于朝向气浮管组送气或吸气；控制器，与位置检测组件及进出气组件电性连接；控制器用于根据位置信息控制不同进出气组件进气或吸气以驱动托盘在气浮通道上位移；该系统解决了反应腔高温环境影响传输机械臂及其上夹具的使用寿命的问题。
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