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公开(公告)号：CN115537780B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211286779.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的气浮驱动装置、系统及方法，该装置包括：气浮气体供应组件，用于供应包括氢气和惰性气体的气浮气体；第一气浮气路，通过第一质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；第二气浮气路，通过第二质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；压差测量组件，与所述第一气浮气路和所述第二气浮气路连接，用于生成所述第一气浮气路和所述第二气浮气路之间的压差信息；该装置能够有效地延长底座的使用寿命和降低更换底座的频率。
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公开(公告)号：CN116190217A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310419902.8
申请日：2023-04-19
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/36
Abstract: 本发明公开了一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域，步骤包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；保持硅源流量不变，使碳源流量按关于时间的S型曲线增大达到第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层。该方法将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，并且使碳硅比变化过程的起点和终点附近平滑过渡，有利于减少三角形缺陷。
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公开(公告)号：CN114093990B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210055643.0
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法，紫外LED垂直芯片外延结构，包括硅衬底以及由下至上依次设置在硅衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlyGa1‑yN缓冲层、掺杂Si的N型AlyGa1‑yN电流扩展层、AlyGa1‑yN spacer层、第一掺杂Si的GaN层、应力释放层、第二掺杂Si的GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层、掺杂Mg的P型AlyGa1‑yN电流扩展层、掺杂Mg的P型GaN欧姆接触层；应力释放层和多量子阱发光层均中不掺杂硅。本申请提供的紫外LED垂直芯片外延结构，能够避免因应力释放层和发光层掺Si导致的位错密度增加。
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公开(公告)号：CN114551572A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210163347.2
申请日：2022-02-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了拓扑PN结及其制备方法和拓扑量子输运特性的调节方法，拓扑PN结包括衬底、电极、P型区和N型区；所述P型区与一所述电极相接，所述N型区与另一所述电极相接，所述N型区与所述P型区之间形成空间电荷区；所述P型区为P型掺杂的拓扑半导体，所述N型区为N型掺杂的拓扑半导体。本申请提供了一种新型的基于拓扑半导体的拓扑PN结，可以充分利用半导体具有能隙且易于调控的优势，可以有效实现拓扑量子输运特性的单向开启。
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公开(公告)号：CN114277360B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111640300.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种化学气相沉积装置，其包括：反应腔；衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置衬底；供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小；能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116539638A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310810542.4
申请日：2023-07-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量和位置坐标，步骤S102，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，步骤S103，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，步骤S104，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
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公开(公告)号：CN114753001B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210481219.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/08 , C30B25/16 , C30B25/14 , C30B25/12 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延沉积反应室、沉积系统及沉积方法，其包括：所述反应室包括上半月石墨腔体和下半月石墨腔体，所述上半月石墨腔体两侧通过侧壁支撑石墨件与所述下半月石墨腔体连接，以围合构成气体反应腔，所述上半月石墨腔体的底壁具有多条平行设置的冷却流道，所述上半月石墨腔体一侧设有与所述冷却流道连接的冷却气体提供组件，所述冷却气体提供组件用于在所述反应室进行外延生长时为所述冷却流道提供所述冷却气体；该外延沉积反应室能够有效地减少由于反应气体在上半月石墨腔体的底壁发生化学反应而形成晶体的情况。
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公开(公告)号：CN116288695A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310111879.6
申请日：2023-02-14
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于外延设备的温场调节装置及系统，该装置包括：混合气体提供组件，用于提供混合气体；气体分流组件，其进气端与混合气体提供组件连接，其出气端通过一条主路气体气路和两条旁路气体气路与反应室的进气端连接，主路气体气路位于两条旁路气体气路之间，气体分流组件用于根据预设流量比将混合气体分流送入主路气体气路和两路旁路气体气路；气体温度调节组件，设置在主路气体气路和/或旁路气体气路上，用于调节主路气体气路和/或旁路气体气路内气体的温度；该装置能够在提高反应室内的温场均匀性的前提下有效地降低设计难度以及生产成本和提高反应室内的温场的可调性。
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公开(公告)号：CN114277360A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111640300.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种化学气相沉积装置，其包括：反应腔；衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置衬底；供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小；能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN114823307B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210681195.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
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