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公开(公告)号：CN114318518B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111665014.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
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公开(公告)号：CN115125619A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210815561.1
申请日：2022-07-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，外延片的冷却系统用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，包括旋转装置、监测装置、吹扫装置和控制器，控制器用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域，通过本方案可实时监测外延片表面的温度及应力分布情况，从而消除已发生翘曲的区域，且能预防外延片发生翘曲。
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公开(公告)号：CN114318518A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111665014.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
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公开(公告)号：CN119221110B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411742042.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉维护系统及方法，该系统包括：反应室；维护室；图像采集组件；传送室；控制器，用于在完成外延生长工艺后，控制第一开关阀打开，然后利用机械臂将上半月反应腔体移动至图像采集组件上方，还用于利用图像采集组件采集反应腔体底面图像信息，然后根据反应腔体底面图像信息获取沉积颗粒参数信息，并根据沉积颗粒参数信息和预设颗粒参数分析是否需要对上半月反应腔体进行维护，若是，则控制第一开关阀关闭，生成提醒维护信息；该系统能够有效地解决由于反应室内的石墨件和气路元件与空气接触而导致反应室内的石墨件和气路元件氧化的问题以及有效地提高维护效率。
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公开(公告)号：CN119194603B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411715094.0
申请日：2024-11-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种双蝶阀控压系统、方法及外延炉，该系统包括：排气管道，其上依次设有门阀、第一压力采集组件、第一蝶阀和工艺泵；调压管，其上设有第二蝶阀；第二压力采集组件；控制器，用于根据第一预设开度范围、第一压力信息和第一预设压力调节第一蝶阀的开度，并在第一蝶阀的开度变化量位于第一预设开度范围内且第一压力信息与第一预设压力的差值位于第一预设压力范围内时，根据第二预设开度范围、第二压力信息和第一预设压力调节第二蝶阀的开度；该系统能够有效地减少第一蝶阀的开度的调整次数，从而有效地延长第一蝶阀的使用寿命，进而有效地降低外延炉的维护周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116288694A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310346330.5
申请日：2023-04-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延炉供气结构及供气系统，其中，外延炉供气结构包括第一供气管道，与传送室连接，用于为传送室供应惰性气体；第二供气管道，与反应室进气端连接，用于为反应室供应初始载气；第一回气管道，其两端分别与传送室和第二供气管道连接；该外延炉供气结构设置第一回气管道连接传送室和第二供气管道，使得第二供气管道最终能为反应室输送由其原始提供的初始载气和第一回气管道提供的惰性气体构成的气浮混合载气，即利用了需要直接排放至废气处理设备中的传送室内的惰性气体来填补部分载气，有效降低整个设备的气体成本。
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公开(公告)号：CN114507900B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210205878.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。
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公开(公告)号：CN115537780A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211286779.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的气浮驱动装置、系统及方法，该装置包括：气浮气体供应组件，用于供应包括氢气和惰性气体的气浮气体；第一气浮气路，通过第一质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；第二气浮气路，通过第二质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；压差测量组件，与所述第一气浮气路和所述第二气浮气路连接，用于生成所述第一气浮气路和所述第二气浮气路之间的压差信息；该装置能够有效地延长底座的使用寿命和降低更换底座的频率。
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公开(公告)号：CN114938549A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210749237.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B6/40
Abstract: 本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供了一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法，其中，装置包括：距离调节组件，具有两个调节臂，所述调节臂用于调节每匝所述感应线圈之间的螺距；第一水平驱动组件，与所述距离调节组件连接，用于驱动所述距离调节组件沿平行于所述感应线圈的螺旋轴心线的方向位移；竖直驱动组件，与所述第一水平驱动组件连接，用于驱动所述第一水平驱动组件沿所述感应线圈的径向的方向位移，以使所述距离调节组件朝向或背离所述感应线圈的螺旋轴心线位移；该装置无需通过手工测量试错的方式对螺距进行调节并有效地降低调节感应线圈的螺距的人力成本。
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公开(公告)号：CN114082729B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210056227.2
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。
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