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公开(公告)号：CN113347811A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110654033.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种多层导电薄片三维结构成型方法，包括以下步骤：设计或获取三维线路结构模型，将该三维线路结构模型拆分成多个通过引线进行层间连接的二维线路模型；根据拆分后的二维线路模型，分别制备包含二维线路模型对应线路结构的线路板；根据三维线路结构模型结构，将多个线路板对位层叠，连接成组合体；将组合体置于酸性介质中，根据引线设计位置，利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔；该成型方法有效简化了三维结构的导电片的制备过程，同时通过激光诱导酸性介质腐蚀获取线孔，相比传统的激光打孔方式，本申请实施例的线孔形成过程更温和，且能有效控制打孔深度，聚焦温度要求远低于激光打孔的温度要求，有效降低设备门槛。
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公开(公告)号：CN115401196A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110593696.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F1/17 , B22F1/07 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种双金属材料及其制备方法和双金属膏体和互连方法，本发明通过对双金属颗粒进行表面改性，在溶液中将二者进行混合使其发生静电吸附形成具有包覆结构的双金属颗粒溶液，分离后得到双金属材料。所述双金属材料包括纳米金属颗粒和微米金属颗粒，所述双金属材料为核壳结构，微米金属颗粒作为内核，纳米金属颗粒作为壳层，纳米金属颗粒包覆在微米金属颗粒上。所述双金属材料可以应用于微电子封装的互连工艺。
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公开(公告)号：CN115348744A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110522863.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K3/22
Abstract: 本申请提供了一种基于激光诱导溶解的精细线路短路缺陷修复方法，用于修复精细线路的短路缺陷，包括以下步骤：获取精细线路板上短路位置；将精细线路板置于酸性介质中；利用激光对精细线路板中的短路位置进行照射，使精细线路板的短路位置的金属层加热而与酸性介质发生反应溶解；从酸性介质中取出精细线路板，并对精细线路板进行清理。本申请提供的基于激光诱导溶解的精细线路短路缺陷修复方法，利用激光对短路位置进行加热，从而使得酸性介质对升温的金属层进行选择性腐蚀，从而隔断短路位置，实现精细线路板的短路修复，替代传统人工手艺修复的方式，有效提高修复效率、精度，避免人工操作误差而损坏精细线路板的问题，并有效减少劳动成本。
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公开(公告)号：CN114695254A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210608078.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/56 , H01L21/60 , G03F7/00
Abstract: 本申请属于集成电路制造技术领域，公开了一种集成电路制备方法，包括步骤：A1.通过微纳结构压印技术在一载板上形成最下层的线路层；A2.循环执行至少一次以下步骤：A201.通过微纳结构压印技术在上一层线路层上设置具有导电结构的第二介电层，所述导电结构用于导通相邻的两层线路层；A202.通过微纳结构压印技术在所述第二介电层上设置下一层线路层；A3.在最上层的线路层上贴装芯片，并进行塑封；A4.拆除所述载板，并对最下层的线路层进行植球处理；从而能够提高集成电路的生产效率并降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113223778B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110602170.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法，其中，成型方法包括以下步骤：取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；移除加压板；清除导电介质上残余纳米金属颗粒。本申请实施例提供的成型方法采用纳米金属颗粒作为填充物替代一般的金属粉末，结合高频脉冲加压处理方式，使得纳米金属颗粒可在常温下发生冶金结合而与待连接介质烧结成导电介质，完成导电片的成型制备，具有便捷、低成本、设备要求低的特点，可制备出具备合格的结构强度、导电性能的导电结构产品。
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公开(公告)号：CN113192854A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110628744.8
申请日：2021-06-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种低封装厚度的板级扇出型MOSFET器件及其制作方法，其中，方法包括以下步骤：在载板上设置临时键合胶层，并在临时键合胶层上设置MOSFET芯片和互通铜柱；在临时键合胶层上设置第一塑封层；拆除载板和临时键合胶层；在第一塑封层上设置介电材质层，并在介电材质层制作重布线层；在第一塑封层另一面上通过引线键合连接MOSFET芯片的衬底和互通铜柱；在第一塑封层上设置第二塑封层。本申请实施例的制作方法通过互通铜柱、重布线层、引线实现MOSFET芯片线层连接以构成MOSFET器件所需的PN结，使得引线无需采用大弧度绕线的方式规避MOSFET芯片外端，令引线设置高度更低、弧度更小，从而减少了MOSFET器件的封装厚度。
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公开(公告)号：CN115348717A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110522843.8
申请日：2021-05-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种基于钉状结构固定金属线路的精细线路板及其制备方法，其中，精细线路板包括线路板和设于线路板上的金属线路，所述金属线路固定连接有若干插入线路板中的钉状体而固定在线路板表面；本申请实施例提供的制备方法通过设置微孔、空腔配合纳米金属颗粒烧结形成一体连接于金属线路的钉状体而将金属线路固定在线路板上，或通过设置扎入线路板上的微型固定钉配合纳米金属颗粒烧结而将金属线路固定在线路板上，从而获得一种利用钉状体连接金属线路和精细线路板，提高了金属线路与精细线路板之间的结合性，使得金属线路不易从精细线路板上脱落。
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公开(公告)号：CN114047578A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202210032807.8
申请日：2022-01-12
Applicant: 季华实验室
IPC: G02B6/125
Abstract: 本申请属于光波导技术领域，公开了一种波导层和交叉波导；该波导层包括垂直相交的两支波导，两支波导的形状和尺寸相同且中心点重合；波导为双轴对称结构，其对称轴包括沿长度方向经过中心点的第一对称轴和沿宽度方向经过中心点的第二对称轴，第一对称轴与第二对称轴垂直；波导包括变宽部和两个分别设置在变宽部两端的等宽部，等宽部的任何横截面上的宽度均相同，变宽部的侧边沿点到所述第二对称轴的距离与该侧边沿点到第一对称轴的距离之间存在特定关系；该交叉波导包括该波导层；从而该波导层和交叉波导可在1310nm光通信波段有效降低传输损失和串扰。
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公开(公告)号：CN114047578B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210032807.8
申请日：2022-01-12
Applicant: 季华实验室
IPC: G02B6/125
Abstract: 本申请属于光波导技术领域，公开了一种波导层和交叉波导；该波导层包括垂直相交的两支波导，两支波导的形状和尺寸相同且中心点重合；波导为双轴对称结构，其对称轴包括沿长度方向经过中心点的第一对称轴和沿宽度方向经过中心点的第二对称轴，第一对称轴与第二对称轴垂直；波导包括变宽部和两个分别设置在变宽部两端的等宽部，等宽部的任何横截面上的宽度均相同，变宽部的侧边沿点到所述第二对称轴的距离与该侧边沿点到第一对称轴的距离之间存在特定关系；该交叉波导包括该波导层；从而该波导层和交叉波导可在1310nm光通信波段有效降低传输损失和串扰。
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