公开(公告)号：CN113488490A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110628766.4

申请日：2021-06-07

Applicant: 季华实验室

Inventor： 李潮 ,  杨斌 ,  贺姝敏 ,  成海涛 ,  崔成强 ,  林挺宇

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开了一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构及其制作方法，其中，制作方法包括以下步骤：提供覆铜板，并对覆铜板表面进行刻蚀和粗化处理，在覆铜板两侧表面设置介质薄膜层；在覆铜板上制作穿塑通孔，并在穿塑通孔中填充导电材料以及在两介质薄膜层外表面上制作重布线层；在一介质薄膜层顶面设置围坝，以及在该介质薄膜层上的重布线层上固定芯片；对另一介质薄膜层上的重布线层进行植球回流处理；将围坝对正插入光学系统构件上的沟槽，并通过涂胶将光学系统构件固定。该制作方法有效简化生产难度、流程，并有效提高封装体制作效率；其次，通过设置围坝替代现有的底座支架来对接光学系统构件，简化了光学系统构件安装对位流程。

公开(公告)号：CN113192854A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110628744.8

申请日：2021-06-07

Applicant: 季华实验室

Inventor： 李潮 ,  杨斌 ,  贺姝敏 ,  成海涛 ,  崔成强 ,  林挺宇

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种低封装厚度的板级扇出型MOSFET器件及其制作方法，其中，方法包括以下步骤：在载板上设置临时键合胶层，并在临时键合胶层上设置MOSFET芯片和互通铜柱；在临时键合胶层上设置第一塑封层；拆除载板和临时键合胶层；在第一塑封层上设置介电材质层，并在介电材质层制作重布线层；在第一塑封层另一面上通过引线键合连接MOSFET芯片的衬底和互通铜柱；在第一塑封层上设置第二塑封层。本申请实施例的制作方法通过互通铜柱、重布线层、引线实现MOSFET芯片线层连接以构成MOSFET器件所需的PN结，使得引线无需采用大弧度绕线的方式规避MOSFET芯片外端，令引线设置高度更低、弧度更小，从而减少了MOSFET器件的封装厚度。