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公开(公告)号：CN115348742B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202110522574.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K3/10 , H05K3/18 , H05K3/22 , H05K3/24 , H05K3/26 , B22F7/08 , B22F3/105 , C25D5/18 , C25D7/00
Abstract: 本申请提供了一种基于纳米金属脉冲电致烧结的线路处理方法，其中，方法包括以下步骤：获取线路板上待处理位置；在所述待处理位置置入纳米烧结材料，并在纳米烧结材料上滴注脉冲电镀溶液；在脉冲电镀溶液上设置金属探针，对金属探针和线路板接入脉冲电压，对纳米烧结材料进行加热和表面电镀，利用激光对纳米烧结材料进行烧结处理；清洁所述线路板，并对线路板进行表面处理；本申请实施例提供的一种基于纳米金属脉冲电致烧结的线路处理方法，从而极大地提高了纳米材料的烧结效率，有效提高了线路的成型或修复效率，并能有效提高线路的成型或修复质量。
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公开(公告)号：CN115475937A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110593680.2
申请日：2021-05-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种铜颗粒快速包覆银壳的方法，铜颗粒前处理使用硝酸溶液清洗铜颗粒，得到含有无氧化层铜颗粒的悬浊液，再加入中和溶液及络合剂除去中和过程中可能会产生的氢氧化铜等，再加入银盐和络合剂的包覆液，再将包覆后的颗粒清洗分离取出，完成铜颗粒快速包覆。本发明使用硝酸溶液、碱性中和液和络合剂对进行颗粒前处理，使颗粒在前处理后无需进一步从体系中分离出来即可接后续的包覆，大大简化了工艺，降低颗粒在前处理完成后被再次氧化产生氧化层的风险。
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公开(公告)号：CN113347811B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110654033.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种多层导电薄片三维结构成型方法，包括以下步骤：设计或获取三维线路结构模型，将该三维线路结构模型拆分成多个通过引线进行层间连接的二维线路模型；根据拆分后的二维线路模型，分别制备包含二维线路模型对应线路结构的线路板；根据三维线路结构模型结构，将多个线路板对位层叠，连接成组合体；将组合体置于酸性介质中，根据引线设计位置，利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔；该成型方法有效简化了三维结构的导电片的制备过程，同时通过激光诱导酸性介质腐蚀获取线孔，相比传统的激光打孔方式，本申请实施例的线孔形成过程更温和，且能有效控制打孔深度，聚焦温度要求远低于激光打孔的温度要求，有效降低设备门槛。
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公开(公告)号：CN113347811A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110654033.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种多层导电薄片三维结构成型方法，包括以下步骤：设计或获取三维线路结构模型，将该三维线路结构模型拆分成多个通过引线进行层间连接的二维线路模型；根据拆分后的二维线路模型，分别制备包含二维线路模型对应线路结构的线路板；根据三维线路结构模型结构，将多个线路板对位层叠，连接成组合体；将组合体置于酸性介质中，根据引线设计位置，利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔；该成型方法有效简化了三维结构的导电片的制备过程，同时通过激光诱导酸性介质腐蚀获取线孔，相比传统的激光打孔方式，本申请实施例的线孔形成过程更温和，且能有效控制打孔深度，聚焦温度要求远低于激光打孔的温度要求，有效降低设备门槛。
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公开(公告)号：CN115401196A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110593696.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F1/17 , B22F1/07 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种双金属材料及其制备方法和双金属膏体和互连方法，本发明通过对双金属颗粒进行表面改性，在溶液中将二者进行混合使其发生静电吸附形成具有包覆结构的双金属颗粒溶液，分离后得到双金属材料。所述双金属材料包括纳米金属颗粒和微米金属颗粒，所述双金属材料为核壳结构，微米金属颗粒作为内核，纳米金属颗粒作为壳层，纳米金属颗粒包覆在微米金属颗粒上。所述双金属材料可以应用于微电子封装的互连工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115348744A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110522863.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K3/22
Abstract: 本申请提供了一种基于激光诱导溶解的精细线路短路缺陷修复方法，用于修复精细线路的短路缺陷，包括以下步骤：获取精细线路板上短路位置；将精细线路板置于酸性介质中；利用激光对精细线路板中的短路位置进行照射，使精细线路板的短路位置的金属层加热而与酸性介质发生反应溶解；从酸性介质中取出精细线路板，并对精细线路板进行清理。本申请提供的基于激光诱导溶解的精细线路短路缺陷修复方法，利用激光对短路位置进行加热，从而使得酸性介质对升温的金属层进行选择性腐蚀，从而隔断短路位置，实现精细线路板的短路修复，替代传统人工手艺修复的方式，有效提高修复效率、精度，避免人工操作误差而损坏精细线路板的问题，并有效减少劳动成本。
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公开(公告)号：CN113223778B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110602170.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法，其中，成型方法包括以下步骤：取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；移除加压板；清除导电介质上残余纳米金属颗粒。本申请实施例提供的成型方法采用纳米金属颗粒作为填充物替代一般的金属粉末，结合高频脉冲加压处理方式，使得纳米金属颗粒可在常温下发生冶金结合而与待连接介质烧结成导电介质，完成导电片的成型制备，具有便捷、低成本、设备要求低的特点，可制备出具备合格的结构强度、导电性能的导电结构产品。
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公开(公告)号：CN115401196B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110593696.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F1/17 , B22F1/07 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种双金属材料及其制备方法和双金属膏体和互连方法，本发明通过对双金属颗粒进行表面改性，在溶液中将二者进行混合使其发生静电吸附形成具有包覆结构的双金属颗粒溶液，分离后得到双金属材料。所述双金属材料包括纳米金属颗粒和微米金属颗粒，所述双金属材料为核壳结构，微米金属颗粒作为内核，纳米金属颗粒作为壳层，纳米金属颗粒包覆在微米金属颗粒上。所述双金属材料可以应用于微电子封装的互连工艺。
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公开(公告)号：CN115348742A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110522574.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K3/10 , H05K3/18 , H05K3/22 , H05K3/24 , H05K3/26 , B22F7/08 , B22F3/105 , C25D5/18 , C25D7/00
Abstract: 本申请提供了一种基于纳米金属脉冲电致烧结的线路处理方法，其中，方法包括以下步骤：获取线路板上待处理位置；在所述待处理位置置入纳米烧结材料，并在纳米烧结材料上滴注脉冲电镀溶液；在脉冲电镀溶液上设置金属探针，对金属探针和线路板接入脉冲电压，对纳米烧结材料进行加热和表面电镀，利用激光对纳米烧结材料进行烧结处理；清洁所述线路板，并对线路板进行表面处理；本申请实施例提供的一种基于纳米金属脉冲电致烧结的线路处理方法，从而极大地提高了纳米材料的烧结效率，有效提高了线路的成型或修复效率，并能有效提高线路的成型或修复质量。
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