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公开(公告)号：CN119820173A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510181139.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金，所述钎料合金包括以下质量百分比的组分：3.4%的Ag、0.4%的Cu、1.4~2.8%的In，1.3~2.6%的Bi、0.8~1.5%的Sb，余量为Sn；Bi原子和Sb原子之和与In原子的原子数量比为1:1；满足Sn‑Ag‑Cu‑In‑Bi‑Sb六元团簇式：Sn260‑4xAg10Cu2In2xBixSbx。本发明的无铅钎料合金具有与普遍使用的Sn‑Ag‑Cu合金适配的工艺性能、良好的润湿性能、优异的力学性能，特别适用于SoC芯片封装。
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公开(公告)号：CN119736680A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510237654.4
申请日：2025-03-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/62 , C25D5/00 , C25D5/18 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种无氰Au‑Sn电镀液与应用，属于电镀技术领域，电镀液由金源、锡源、金络合剂、锡络合剂、添加剂和pH缓冲剂组成；金源为巯基磺酸金盐；锡络合剂为巯基乙酸及其盐；无氰Au‑Sn电镀液的pH为3~11。本发明提供的电镀液不含有剧毒物质，具有较高的存储稳定性和电镀稳定性，即使在高低温变化、光照、长时间存储或长时间电镀后仍保持澄清透明状态，在长时间存储或长时间电镀内获得成分均一稳定且重现性高的Au‑Sn合金镀件，从而有效保证电镀得到的Au‑Sn合金镀件性能，电镀液性能优异，有利于在微电子或光电子器件的封装技术中的应用。
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公开(公告)号：CN117840629A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410031970.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/26 , B23K1/00 , C22C1/02 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种低熔点In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料及其制备方法、应用，In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料包括以下质量百分比的组分：15％～25％的Sn、10％～30％的In、1％～12％的Ag和40％～60％的Bi；In和Ag的原子百分比之和与Bi和Sn的原子百分比为35.7：39.3：25。基于“(团簇)连接原子”理论模型，并结合相图、混合焓及强交互作用原则，在Sn‑Bi基础上联合Ag元素和In元素的复合添加，并严格控制各合金元素成分配比，具有低熔点、Cu和Ni基板润湿性良好、焊接强度高、成本适中、无铅更加环保等优点，尤其适用于柔性基板互连，也可应用于3D IC多层封装。
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公开(公告)号：CN114411233A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210028237.5
申请日：2022-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN118431093A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410583065.7
申请日：2024-05-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种择优取向纳米孪晶铜柱凸点互连结构及其制备方法，提供具有钝化层的晶圆基底，并在钝化层的凹槽内设置金属焊盘；设置介电层，介电层覆盖在钝化层及金属焊盘上；选择性掩蔽和刻蚀介电层，使金属焊盘表面暴露在介电层窗口中；物理溅射种子层于介电层和暴露出来的金属焊盘上；在种子层上涂覆光刻胶层，并对光刻胶层图形化处理，以暴露出金属焊盘上方的种子层；采用直流电镀工艺制备铜柱；在铜柱上电镀焊料；去除光刻胶层；刻蚀介电层上的多余种子层；对铜柱顶端的焊料进行回流，得到钎料凸点。本发明的电镀液不含有添加剂以及氯离子，与Sn基钎料凸点互连后界面无柯肯达尔孔洞，提高了铜柱凸点互连结构制造及服役的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114411233B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210028237.5
申请日：2022-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN104716058B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510068044.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L33/62 , H01L23/488
Abstract: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点，在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层，在第二可焊层的表面涂覆焊剂，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的生长速率，提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率；与半导体和封装技术工艺兼容性好，金属间化合物具有择优取向和热稳定性，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，实现低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN105780071A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610343759.9
申请日：2016-05-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au?Sn合金镀液及其制备方法，以及利用该无氰Au?Sn合金镀液进行电镀的方法，属于电镀领域。一种无氰Au?Sn合金镀液，由下述原料组分制得：金离子0.01～0.08mol/L，亚锡离子0.02～0.24mol/L，亚锡离子络合剂0.12～2.40mol/L，乙内酰脲及其衍生物0.08～1.50mol/L，亚硫酸盐0.06～2.00mol/L，稳定剂0.01～0.30mol/L，亚锡离子抗氧化剂0.02～0.06mol/L。本发明无氰金?锡镀液具有较高的稳定性、镀层成分可控、制备方法简便、易于操作、废液易于回收等特点，室温下镀液可以长期保存(2个月以上)，因此有望应用于实际的生产中。
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公开(公告)号：CN104716058A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510068044.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L33/62 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/488 , H01L24/04 , H01L33/62 , H01L2224/03 , H01L2224/04105
Abstract: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点，在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层，在第二可焊层的表面涂覆焊剂，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的生长速率，提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率；与半导体和封装技术工艺兼容性好，金属间化合物具有择优取向和热稳定性，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，实现低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN104651898A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510065103.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D11/00
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将涂覆焊剂的第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时施加直流电流形成电流密度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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