公开(公告)号：CN117840629A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410031970.1

申请日：2024-01-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄明亮 ,  任婧 ,  黄斐斐 ,  顾怡冰 ,  兰佳霓 ,  杨皓淇

IPC: B23K35/26 ,  B23K1/00 ,  C22C1/02 ,  B23K101/36

Abstract: 本发明公开了一种低熔点In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料及其制备方法、应用，In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料包括以下质量百分比的组分：15％～25％的Sn、10％～30％的In、1％～12％的Ag和40％～60％的Bi；In和Ag的原子百分比之和与Bi和Sn的原子百分比为35.7：39.3：25。基于“(团簇)连接原子”理论模型，并结合相图、混合焓及强交互作用原则，在Sn‑Bi基础上联合Ag元素和In元素的复合添加，并严格控制各合金元素成分配比，具有低熔点、Cu和Ni基板润湿性良好、焊接强度高、成本适中、无铅更加环保等优点，尤其适用于柔性基板互连，也可应用于3D IC多层封装。