公开(公告)号：CN112103262B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202010964080.8

申请日：2020-09-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄明亮 ,  武洋 ,  张诗楠 ,  任婧 ,  王胜博

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  C22F1/08 ,  C22F3/00 ,  C25D3/30 ,  C25D5/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种控制全金属间化合物微互连焊点晶体取向及微观组织的方法，其特征在于，通过直流或脉冲电镀的方法依次在第一金属焊盘和第二金属焊盘上分别制备出择优取向纳米孪晶Cu作为凸点下金属化层；然后再在第一金属焊盘上的第一凸点下金属化层上制备无铅钎料凸点，将所述无铅钎料凸点和第二金属焊盘上的第二凸点下金属化层接触放置，并将二者进行回流焊处理，使其形成冶金结合。本发明中的择优取向全金属间化合物微互连结构具有优异的力学性能、优良的抗电迁移性能和高温服役可靠性，提高了电子器件的使用寿命，可广泛应用于工业生产。

公开(公告)号：CN114411233B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202210028237.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄明亮 ,  张诗楠 ,  武洋 ,  詹莉昕 ,  黄斐斐 ,  任婧

IPC: C30B1/02 ,  C30B30/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN114411233A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210028237.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄明亮 ,  张诗楠 ,  武洋 ,  詹莉昕 ,  黄斐斐 ,  任婧

IPC: C30B1/02 ,  C30B30/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN112103262A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010964080.8

申请日：2020-09-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄明亮 ,  武洋 ,  张诗楠 ,  任婧 ,  王胜博

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  C22F1/08 ,  C22F3/00 ,  C25D3/30 ,  C25D5/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种控制全金属间化合物微互连焊点晶体取向及微观组织的方法，其特征在于，通过直流或脉冲电镀的方法依次在第一金属焊盘和第二金属焊盘上分别制备出择优取向纳米孪晶Cu作为凸点下金属化层；然后再在第一金属焊盘上的第一凸点下金属化层上制备无铅钎料凸点，将所述无铅钎料凸点和第二金属焊盘上的第二凸点下金属化层接触放置，并将二者进行回流焊处理，使其形成冶金结合。本发明中的择优取向全金属间化合物微互连结构具有优异的力学性能、优良的抗电迁移性能和高温服役可靠性，提高了电子器件的使用寿命，可广泛应用于工业生产。