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公开(公告)号：CN102473727B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080029375.0
申请日：2010-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/22 , G02F1/1368 , G02F2202/10 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。
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公开(公告)号：CN103299429A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180063129.1
申请日：2011-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1341 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1296 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 有源矩阵基板(20a)包括：设置在绝缘基板(10a)上的栅极电极(25)；和设置在栅极电极(25)上，由烧制而成的SOG材料形成的平坦化膜(26)。栅极电极(25)包括以下各导电膜的层叠膜：设置在所述绝缘基板(10a)上，由铜以外的金属形成的第一导电膜(27)；设置在第一导电膜(27)上，由铜形成的第二导电膜(28)；和设置在第二导电膜(28)上，由铜以外的金属形成的第三导电膜(29)。
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公开(公告)号：CN103201843A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053443.1
申请日：2011-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66969 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , H01L27/1225 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：TFT的栅极电极(102)；形成在栅极电极(102)上的栅极绝缘层(103)；配置在栅极绝缘层(103)上的氧化物半导体层(107)；通过旋涂玻璃法形成在氧化物半导体层(107)上的保护层(108)；和配置在保护层(108)上的源极电极(105)和漏极电极(106)，其中，源极电极(105)经形成于保护层(108)的第一接触孔(131)与氧化物半导体层(104)电连接，漏极电极(106)经形成于保护层(108)的第二接触孔(132)与氧化物半导体层(104)电连接。
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公开(公告)号：CN100477272C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03820547.5
申请日：2003-08-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/66765 , H01L29/78633 , H01L29/78696
Abstract: 一种TFT阵列基板包括薄膜晶体管部件，其中栅极形成在基板上，半导体层经栅极绝缘层形成在栅极上。这种TFT阵列基板的半导体层具有通过滴落液滴形成的形状。因而，可以通过滴落液滴直接形成半导体层或用于形成半导体层的抗蚀剂层。由此，本发明允许使用喷墨法，因而减少了制造工艺的成本和数量。
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公开(公告)号：CN1291363C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN02820135.3
申请日：2002-12-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/17 , G02F1/167 , G02F1/1365 , H01L29/87
CPC classification number: H01L27/3244 , G02F1/1362 , G02F1/1365 , G02F1/167
Abstract: 提供一种用比以前还简单的方法制造得到的有源矩阵型显示装置。显示装置(100)具有：多个第一电极(11)；多个双向二端子元件(12)；多个像素电极(14)，分别经多个双向二端子元件(12)中的至少一个双向二端子元件(12)电连接于多个第一电极(11)的之一；多个第二电极(17)；和设置在多个像素电极(14)与多个第二电极(17)之间的显示介质层。多个像素电极(14)的各个与至少一个双向二端子元件(12)的配置关系为随机的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1656617A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811609.X
申请日：2003-03-26
IPC: H01L29/786 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在逆参差型的MOSFET(1)中，用无定形的氧化铝形成相对于由氧化锌构成的作为上述半导体层的沟道层(5)的栅绝缘层(4)。通过形成如此的结构，在沟道层(5)和栅绝缘层(4)的界面的缺陷能级被降低，能够得到与用结晶性叠层膜制作全部叠层膜的半导体装置同等水平的性能。另外，如此的方法，也能够用于顺参差型的MOSFET等，通用性也高。
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公开(公告)号：CN1568494A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02820135.3
申请日：2002-12-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/17 , G02F1/167 , G02F1/1365 , H01L29/87
CPC classification number: H01L27/3244 , G02F1/1362 , G02F1/1365 , G02F1/167
Abstract: 提供一种用比以前还简单的方法制造得到的有源矩阵型显示装置。显示装置(100)具有：多个第一电极(11)；多个双向二端子元件(12)；多个像素电极(14)，分别经多个双向二端子元件(12)中的至少一个双向二端子元件(12)电连接于多个第一电极(11)的之一；多个第二电极(17)；和设置在多个像素电极(14)与多个第二电极(17)之间的显示介质层。多个像素电极(14)的各个与至少一个双向二端子元件(12)的配置关系为随机的。
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公开(公告)号：CN109557659B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811110576.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明提供一种两基板间的密合性优异的电润湿装置及电润湿装置的制造方法。电润湿装置(100)包含：有源基板(14)，其具备：第一基板(1)、第一电极层(2)、电介质层(3)及第一防水层(4)；及共用电极基板(15)，其具备：第二基板(8)、第二电极层(7)及第二防水层(6)，所述有源基板与所述共用电极基板经由配置于密封区域的密封材料(5)具有间隙地粘合，其中，所述电介质层及所述第二电极层中的至少一方在其层上，除形成有所述防水层的防水层形成区域以外还具有防水层非形成区域(11、12)，所述密封区域形成为俯视观察时至少一部分与所述防水层非形成区域重叠，且所述间隙为10～500μm的范围。
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公开(公告)号：CN109557659A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811110576.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明提供一种两基板间的密合性优异的电润湿装置及电润湿装置的制造方法。电润湿装置(100)包含：有源基板(14)，其具备：第一基板(1)、第一电极层(2)、电介质层(3)及第一防水层(4)；及共用电极基板(15)，其具备：第二基板(8)、第二电极层(7)及第二防水层(6)，所述有源基板与所述共用电极基板经由配置于密封区域的密封材料(5)具有间隙地粘合，其中，所述电介质层及所述第二电极层中的至少一方在其层上，除形成有所述防水层的防水层形成区域以外还具有防水层非形成区域(11、12)，所述密封区域形成为俯视观察时至少一部分与所述防水层非形成区域重叠，且所述间隙为10～500μm的范围。
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公开(公告)号：CN109308880A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810667262.1
申请日：2018-06-25
Applicant: 夏普生命科学(欧洲)有限公司 , 夏普株式会社
Inventor： 本杰明·詹姆斯·哈德文 , 西内亚德·马丽·马修 , 莱斯利·安·帕里-琼斯 , 阿达姆·弗朗西斯·鲁滨逊 , 小坂知裕 , 原猛 , 寺西知子
Abstract: EWOD器件包括限定间隙且均包括面对间隙的绝缘表面的相对的基板。阵列元件包括施加有致动电压的电极元件。预充电结构限定与间隙流体连通的通道，其中，通道接收用于生成液滴的流体储液团的输入，并且预充电结构包括电暴露于通道的电元件。电元件对通道内的流体储液团预充电，并且间隙的含有与通道间隔开的液滴的部分与电元件电隔离，使得液滴在位于间隙的所述部分内时处于浮置电位。电元件可以是暴露于通道的电极部分或插入到通道中的外部连接的预充电元件。
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