公开(公告)号：CN100477272C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN03820547.5

申请日：2003-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤井晓义 ,  中林敬哉 ,  越智久维 ,  原猛 ,  斋藤裕一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种TFT阵列基板包括薄膜晶体管部件，其中栅极形成在基板上，半导体层经栅极绝缘层形成在栅极上。这种TFT阵列基板的半导体层具有通过滴落液滴形成的形状。因而，可以通过滴落液滴直接形成半导体层或用于形成半导体层的抗蚀剂层。由此，本发明允许使用喷墨法，因而减少了制造工艺的成本和数量。

公开(公告)号：CN1679171A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820547.5

申请日：2003-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤井晓义 ,  中林敬哉 ,  越智久维 ,  原猛 ,  斋藤裕一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种TFT阵列基板包括薄膜晶体管部件，其中栅极形成在基板上，半导体层经栅极绝缘层形成在栅极上。这种TFT阵列基板的半导体层具有通过滴落液滴形成的形状。因而，可以通过滴落液滴直接形成半导体层或用于形成半导体层的抗蚀剂层。由此，本发明允许使用喷墨法，因而减少了制造工艺的成本和数量。