公开(公告)号：CN102906804B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201180024993.0

申请日：2011-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下彻也 ,  吉田德生 ,  近间义雅 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  春本祥征 ,  宫本惠信

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262

Abstract: 各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。

公开(公告)号：CN103201843A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180053443.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中川兴史 ,  近间义雅 ,  原猛 ,  胜井宏充

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66969 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：TFT的栅极电极(102)；形成在栅极电极(102)上的栅极绝缘层(103)；配置在栅极绝缘层(103)上的氧化物半导体层(107)；通过旋涂玻璃法形成在氧化物半导体层(107)上的保护层(108)；和配置在保护层(108)上的源极电极(105)和漏极电极(106)，其中，源极电极(105)经形成于保护层(108)的第一接触孔(131)与氧化物半导体层(104)电连接，漏极电极(106)经形成于保护层(108)的第二接触孔(132)与氧化物半导体层(104)电连接。

公开(公告)号：CN101558370B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780046495.X

申请日：2007-12-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村井淳人 ,  近间义雅 ,  高桥和树

IPC: G06F3/041 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/00

CPC classification number: G06F3/0414 ,  G02F1/13338 ,  G06F3/047

Abstract: 本发明提供显示面板用基板、显示面板、显示装置、和显示面板用基板的制造方法。本发明的显示面板用基板至少包括：绝缘性基板；在所述绝缘性基板上形成的第一导电性配线；在所述第一导电性配线上形成的压电材料膜；与所述第一导电性配线交叉的第二导电性配线；和分别保护所述第一导电性配线、第二导电性配线和压电材料膜的保护膜。所述绝缘体膜至少形成在所述绝缘性基板上的有效显示区域中的区域，此外，所述压电体膜至少形成在所述第一导电性配线和第二导电性配线的交点处。由此，能够提供一种显示面板的尺寸不会大型化，且能够将触摸式面板功能一体化的显示面板用基板。

公开(公告)号：CN100594759C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200680029260.5

申请日：2006-10-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 会田哲也 ,  近间义雅

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/14

CPC classification number: H05K3/323 ,  G02F1/13452 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/386 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05599

Abstract: 包括具有树脂衬底、层叠在树脂衬底表面上的阻挡膜、形成在阻挡膜上的电路部、以及设置在树脂衬底中层叠了阻挡膜一侧的第一电极的第一电路部件，和与第一电路部件相对设置、具有与第一电极相对的第二电极的第二电路部件；第一电路部件的第一电极、和第二电路部件的第二电极，是在使它们相互接近的方向上施加了压力的状态下电连接的；阻挡膜，在第一电极的周围从树脂衬底表面除去。

公开(公告)号：CN107924091B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201680048508.6

申请日：2016-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  松本龙儿 ,  近间义雅

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339

Abstract: 液晶面板(11)具备：一对基板(11a、11b)；密封部(11q)，其夹设于一对基板(11a、11b)之间而密封内部空间；绝缘膜(11s)，其设置于阵列基板(11b)；取向膜(11o)，其在阵列基板(11b)以与绝缘膜(11s)重叠的形式设置而至少配设于显示区域AA；以及成膜范围限制凹状部(21)，其为在阵列基板(11b)中的相对于密封部(11q)而靠显示区域AA的位置以使绝缘膜(11s)部分地凹陷的形式设置从而限制取向膜(11o)的成膜范围的成膜范围限制凹状部(21)，且构成为密封部(11q)侧的第一侧面(21a)的至少一部分相比其相反一侧的第二侧面(21b)而相对于阵列基板(11b)的板面所涉及的法线方向所成的角度相对较小。

公开(公告)号：CN110596974A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910476177.1

申请日：2019-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  西村淳 ,  平田义晴

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368

Abstract: 一种显示面板和显示装置，抑制具有氧化物半导体膜的晶体管的电特性的变化。在液晶面板(10)中，在阵列基板(30)的非显示区域(NAA)中形成为单片的行控制电路部(GDM电路)(82)具备具有氧化物半导体膜(33)而构成的非显示区域用TFT(70)。构成为，在形成于CF基板(20)的非显示区域(NAA)的包括遮光膜(22)的周边遮光部(22B)中，在俯视时与非显示区域用TFT(70)的至少第1沟道部(74)重叠的位置设置开口部(22H)，通过了开口部(22H)的光能照射到非显示区域用TFT(70)并被吸收。

公开(公告)号：CN103201843B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180053443.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中川兴史 ,  近间义雅 ,  原猛 ,  胜井宏充

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66969 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：TFT的栅极电极(102)；形成在栅极电极(102)上的栅极绝缘层(103)；配置在栅极绝缘层(103)上的氧化物半导体层(107)；通过旋涂玻璃法形成在氧化物半导体层(107)上的保护层(108)；和配置在保护层(108)上的源极电极(105)和漏极电极(106)，其中，源极电极(105)经形成于保护层(108)的第一接触孔(131)与氧化物半导体层(104)电连接，漏极电极(106)经形成于保护层(108)的第二接触孔(132)与氧化物半导体层(104)电连接。

公开(公告)号：CN103348484A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007738.X

申请日：2012-01-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胜井宏充 ,  近间义雅 ,  中村涉 ,  田中哲宪 ,  纪藤贤一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

Abstract: 漏极电极（17）包括：以覆盖半导体层（14）的上表面的一部分的方式层叠的下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b），半导体层（14）、下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b）构成为台阶状，在构成为上述台阶状的部分，下层漏极电极（17a）的周边与上层漏极电极（17b）的周边的距离大于0.4μm且小于1.5μm。

公开(公告)号：CN102893315A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180022972.5

申请日：2011-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  近间义雅 ,  水野裕二(死亡) ,  太田纯史 ,  吉田德生 ,  中川兴史 ,  春本祥征 ,  宫本惠信 ,  山下彻也

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244

Abstract: 一种有源矩阵基板(20a)，包括：呈矩阵状设置的多个像素电极(18a)；和多个TFT(5)，该多个TFT(5)与各像素电极(18a)分别连接且包括设置于绝缘基板(10a)的栅极电极(11a)、以覆盖栅极电极(11a)的方式设置的栅极绝缘膜(12a)、在栅极绝缘膜(12a)上以与栅极电极(11a)重叠的方式设置有沟道区域(C)的半导体层(16a)、和在栅极绝缘膜(12a)上以隔着半导体层(16a)的沟道区域(C)彼此分离的方式利用铜或铜合金设置的源极电极(15aa)和漏极电极(15b)，半导体层(16a)利用氧化物半导体以覆盖源极电极(15aa)和漏极电极(15b)的方式设置。

公开(公告)号：CN101606186B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880004648.9

申请日：2008-01-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  近间义雅

IPC: G02F1/1333 ,  G09F9/00 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/1303 ,  G02F2001/133302 ,  Y10T428/266

Abstract: 本发明提供显示器件的制造方法和显示器件。本发明的显示器件的制造方法的目的是提供能够以低成本容易地在基板上形成显示元件的器件制造方法和显示器件。本发明的显示器件的制造方法包括：第一步骤，准备第一基板(11)，该第一基板(11)具有预定蚀刻的第一区域(13)和设置在第一区域的周边的第二区域(14)、并且在表面形成有显示元件(12)；第二步骤，将第一基板(11)的第一区域(13)蚀刻除去；第三步骤，在第一基板(11)的显示元件形成面的相反一侧表面上形成第二基板(18)；和第四步骤，将第一基板(11)的第二区域(14)除去。