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公开(公告)号：CN105637637B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480055774.2
申请日：2014-09-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/1368 , H01L27/088 , H01L27/101 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/147 , H01L2029/42388
Abstract: 半导体装置(1001)具备：第1晶体管(10A)，其具有第1沟道长度L1和第1沟道宽度W1；以及第2晶体管(10B)，其具有第2沟道长度L2和第2沟道宽度W2，第1晶体管(10A)和第2晶体管(10B)具有由共同的氧化物半导体膜形成的活性层，第1晶体管(10A)是能从漏极电流Isd依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变为漏极电流Isd不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，第1沟道长度L1小于第2沟道长度L2。
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公开(公告)号：CN107851668A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043576.3
申请日：2016-07-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置具备TFT(101)，该TFT(101)具有：栅极电极(12)；栅极绝缘层(14)，其覆盖栅极电极；金属氧化物层(16A)，其包括沟道区域(16c)、源极接触区域(16s)以及漏极接触区域(16d)；第1电极(18A)，其与源极接触区域接触；绝缘层(22)，其形成在金属氧化物层和第1电极上，具有使金属氧化物层的一部分露出的第1开口部(22p)；以及第2电极(24)，其形成在绝缘层上及包括第1开口部的接触孔内，具有透光性，第2电极(24)在接触孔内与漏极接触区域(16d)接触，漏极接触区域(16d)是金属氧化物层(16A)中的通过接触孔露出的区域(17)的一部分，从基板(11)的法线方向观看时，第2电极(24)不与沟道区域(16c)重叠。
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公开(公告)号：CN105637637A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480055774.2
申请日：2014-09-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/1368 , H01L27/088 , H01L27/101 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/147 , H01L2029/42388
Abstract: 半导体装置(1001)具备：第1晶体管(10A)，其具有第1沟道长度L1和第1沟道宽度W1；以及第2晶体管(10B)，其具有第2沟道长度L2和第2沟道宽度W2，第1晶体管(10A)和第2晶体管(10B)具有由共同的氧化物半导体膜形成的活性层，第1晶体管(10A)是能从漏极电流Isd依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变为漏极电流Isd不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，第1沟道长度L1小于第2沟道长度L2。
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公开(公告)号：CN103314446A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280005434.X
申请日：2012-01-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 加藤纯男
IPC: H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/45 , H01L29/78606 , H01L29/78693
Abstract: 本发明防止在高温下对设置有沟道保护层的薄膜晶体管进行退火处理时在源极电极和漏极电极中产生小丘(凹凸)。具有以覆盖氧化物半导体膜(14)的沟道部的方式岛状地设置的沟道保护层(15a)的薄膜晶体管基板中，源极电极(16S)和漏极电极(16D)由铝合金膜或包含铝合金膜的层叠膜构成。
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公开(公告)号：CN105765720B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201480063009.5
申请日：2014-08-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/11206 , G02F1/1368 , G09G3/3655 , G09G2300/0426 , G09G2300/08 , G09G2300/0842 , H01L27/101 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/78678 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置包括存储晶体管(10A)，该存储晶体管(10A)是能够从漏极电流Ids依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变化到漏极电流Ids不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，存储晶体管(10A)具有栅极电极(3)、金属氧化物层(7)、栅极绝缘膜(5)、源极和漏极电极，漏极电极(9d)具有包含由熔点为1200℃以上的第一金属形成的第一漏极金属层(9d1)和由熔点低于第一金属的第二金属形成的第二漏极金属层(9d2)的层叠结构，在从衬底的表面的法线方向观察时，漏极电极9d的一部分P与金属氧化物层(7)和栅极电极(3)这两者都重叠，漏极电极(9d)的一部分(P)包含第一漏极金属层(9d1)且不包含第二漏极金属层(9d2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105612617B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480055773.8
申请日：2014-09-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , G11C16/02 , G11C16/04 , H01L29/786
CPC classification number: G11C17/16 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C17/18 , G11C19/184 , G11C19/28 , G11C2213/15 , G11C2213/53 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/11206 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/7869
Abstract: 存储单元(101)包含：存储晶体管(10A)，其具有沟道长度L1和沟道宽度W1；以及多个选择晶体管(10B)，其各自与存储晶体管串联电连接且独立地具有沟道长度L2和沟道宽度W2，存储晶体管和多个选择晶体管各自具有由共同的氧化物半导体膜形成的活性层(7A)，存储晶体管是能从漏极电流Ids依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的晶体管，沟道长度L2大于沟道长度L1。
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公开(公告)号：CN105765662B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480064108.5
申请日：2014-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C13/00 , G11C17/12 , H01L29/786
CPC classification number: G11C17/18 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C19/28 , G11C2213/53 , H01L27/1052 , H01L27/11206 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置(1001)具备存储单元和写入控制电路，存储单元包含存储晶体管(10A)，存储晶体管(10A)具有含有金属氧化物的活性层(7A)，存储晶体管(10A)是能从漏极电流Ids依赖于栅极‐源极间电压Vgs的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极‐源极间电压Vgs的电阻体状态的晶体管，在将存储晶体管(10A)的阈值电压设为Vth，将漏极‐源极间电压设为Vds时，写入控制电路以满足Vgs≥Vds+Vth的方式对施加到漏极(9dA)、源极(9sA)以及栅极电极(3A)的电压进行控制，由此进行向存储晶体管(10A)的写入。
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公开(公告)号：CN105765720A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480063009.5
申请日：2014-08-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/11206 , G02F1/1368 , G09G3/3655 , G09G2300/0426 , G09G2300/08 , G09G2300/0842 , H01L27/101 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/78678 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置包括存储晶体管(10A)，该存储晶体管(10A)是能够从漏极电流Ids依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变化到漏极电流Ids不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，存储晶体管(10A)具有栅极电极(3)、金属氧化物层(7)、栅极绝缘膜(5)、源极和漏极电极，漏极电极(9d)具有包含由熔点为1200℃以上的第一金属形成的第一漏极金属层(9d1)和由熔点低于第一金属的第二金属形成的第二漏极金属层(9d2)的层叠结构，在从衬底的表面的法线方向观察时，漏极电极9d的一部分P与金属氧化物层(7)和栅极电极(3)这两者都重叠，漏极电极(9d)的一部分(P)包含第一漏极金属层(9d1)且不包含第二漏极金属层(9d2)。
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公开(公告)号：CN103403850A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011119.8
申请日：2012-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H05B37/02
Abstract: 本发明提供能够抑制制造成本并且大幅改善电流驱动力的薄膜晶体管。通过热处理，被钛电极（65）夺取氧的IGZO层（45）成为低电阻区域（40b），未被夺取氧的IGZO层（45）作为高电阻区域（40a）残留。在该状态下，当对栅极电极（20）施加栅极电压时，接近与高电阻区域（40a）的边界的低电阻区域（40b）的电子分别向钛电极（65）侧移动。其结果，低电阻区域（40b）的长度变短，相反地，高电阻区域（40a）的长度变长相应的量。但是，电沟道长度（Le）变得比作为曝光装置的分辨率极限的源极/漏极间空间（Lch）短，电流驱动力变大。
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公开(公告)号：CN103348483A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007709.3
申请日：2012-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L27/1222 , H01L29/41733 , H01L29/78609 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L33/0041
Abstract: 本发明提供能够减少在沟道层的沟道宽度方向的端部流动的截止电流的薄膜晶体管及其制造方法。源极电极（160a）和漏极电极（160b）的宽度比沟道层（140）的宽度窄。由此，在沟道层（140），以包围源极电极（160a）和漏极电极（160b）的方式分别形成低电阻区域（140b）。此外，不仅在被两个低电阻区域（140b）夹着的区域，而且在沟道宽度方向的端部也留有电阻值比低电阻区域（140b）高的高电阻区域（140a）。其结果是，在TFT（100），高电阻区域（140a）不仅扩展到被源极电极（160a）与漏极电极（160b）夹着的区域而且扩展到沟道宽度方向的端部。由此，在沟道宽度方向的端部流动的截止电流减少。
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