-
公开(公告)号：CN115274831A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210920080.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/792 , H01L21/34 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器及其制备方法。该基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器包括：衬底，其为具有SiO2层的Si片，所述SiO2层中形成有凹槽，作为栅极区域；栅极，形成在所述栅极区域；阻挡层/电荷俘获层叠层结构，覆盖所述栅极；隧穿层，形成在所述电荷俘获层上；超薄ITO薄膜，形成在所述隧穿层上，作为沟道；源极和漏极，形成在所述ITO薄膜两侧。
-
公开(公告)号：CN115274418A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210920069.0
申请日：2022-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种改善铪基铁电器件性能的方法，包括以下步骤：利用等离子增强原子层淀积方法在衬底上沉积氧化铪薄膜时进行元素掺杂；在氧化铪薄膜上沉积第一金属薄膜，进行快速热退火处理；之后对第一金属薄膜进行光刻、刻蚀形成栅极；进行离子注入，在衬底中、栅极两侧形成源区和漏区，通过应力和掺杂的共同作用改变氧化铪的结晶形式，从而使晶胞产生不对称性，产生非中心对称的铁电相，提升氧化铪薄膜的铁电相的存在比例。此外，在器件源区和漏区沉积第二金属薄膜，然后进行两次退火处理，第一次为低温热退火，形成金属硅化物，此时金属与源区和漏区的接触为肖特基接触；第二次为高温热退火，将肖特基接触转变成欧姆接触，以降低RC延迟。
-
公开(公告)号：CN115261793A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210918683.3
申请日：2022-08-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种基于PVD的Hf基铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：在腔体中通入氧气作为氧离子来源，通入氩气作为等离子体源，同时打开Hf靶和掺杂用金属靶，两个靶使用不同电源控制，分别改变两靶的功率调控掺杂元素含量，实现掺杂元素与Hf元素的任意比例的掺杂，通过调整通入氧气和氩气的比例来调整薄膜的氧空位含量。
-
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084365A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609971.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法。该水平极化翻转的铁电忆阻器件包括柔性衬底；二维铁电功能层，形成在所述柔性衬底上；第一平面电极和第二平面电极，形成在所述二维铁电功能层两侧；将所述第二平面电极接地，当未在所述第一平面电极施加电压时，二维铁电功能层中极化方向无序，器件处于常态；当在所述第一平面电极施加正电压时，所述二维铁电功能层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第一平面电极端朝向第二平面电极端，器件转变为低阻态；当在所述第一平面电极施加负电压时，铁电层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第二平面电极端朝向第一平面电极端，器件转变为高阻态。
-
公开(公告)号：CN113964268A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111156448.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种基于原位氧化的二维忆阻器及其制备方法。该基于原位氧化的二维忆阻器，包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；功能层，其为二维半导体材料经原位氧化处理后形成的氧空位绝缘层与半导体层混合的结构，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述功能层上，且延伸方向与所述底电极的延伸方向正交。利用原位氧化的方式对二维材料进行处理，将部分半导体相的二维材料氧化为绝缘体，借助氧空位缺陷的引入对导电通道进行优化，使得二维功能层的漏电流降低，存储器件的开关比提高，获得了高性能的纳米级二维忆阻器。
-
公开(公告)号：CN113964144A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111156461.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/144 , H01L27/20 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18 , H01L41/08 , H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/39
Abstract: 本发明公开一种视觉与触觉感知集成的仿生柔性神经形态器件及其制备方法。该视觉与触觉感知集成的仿生柔性神经形态器件，包括：柔性衬底；背栅电极，其采用透明材料，形成在所述柔性衬底上；存储层，其为具有氧空位类型缺陷的氧化物薄膜，形成在所述背栅电极上；二维材料层，其在可见光波段范围内有响应，同时在弯曲的状态下发生电阻状态的改变，作为光感层以及机械应力感知层，形成在所述存储层上；源电极和漏电极，分别形成在所述二维材料层的两端，利用可见光波段的激光器与压折的方式可实现器件的电阻状态调节，将器件电阻的改变作为采集的信息，从而实现视觉与触觉信息的仿生感知。
-
公开(公告)号：CN113161479A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110248356.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种剥离式自支撑的神经突触仿生器件的制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底上旋凃形成柔性薄膜，并进行烘烤；生长第一层电极；生长功能层；光刻定义顶电极阵列图形，生长并刻蚀形成顶电极阵列；以及将柔性薄膜从支撑衬底上剥离获得自支撑的柔性神经突触仿生器件。本发明通过将柔性薄膜溶液旋涂于支撑衬底获得平整的界面，并在器件制备完成后将其整体剥离，极大提高了器件良率、有效降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN115117192B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202210780812.7
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法。该三维视觉神经形态忆阻器包括：衬底；下部阻挡层，形成在所述衬底上；第一电极，形成在所述下部阻挡层上；上部阻挡层，形成在所述第一电极上；凹槽结构，贯穿所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层，使部分硅衬底表面露出；忆阻功能层，其为氧化物异质结，形成在上述器件结构上；第二电极，其为透明电极，形成在所述凹槽结构中，通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
108
records
(took 0.022 seconds)
