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公开(公告)号：CN115274831A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210920080.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/792 , H01L21/34 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器及其制备方法。该基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器包括：衬底，其为具有SiO2层的Si片，所述SiO2层中形成有凹槽，作为栅极区域；栅极，形成在所述栅极区域；阻挡层/电荷俘获层叠层结构，覆盖所述栅极；隧穿层，形成在所述电荷俘获层上；超薄ITO薄膜，形成在所述隧穿层上，作为沟道；源极和漏极，形成在所述ITO薄膜两侧。
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