公开(公告)号：CN101110393A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710043460.2

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  傅秀峰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1＜x≤2。形成CuxO存储介质的方法可是等离子氧化方法，也可以热氧化方法。本发明方法工艺简便，成本低，效果好。

公开(公告)号：CN100550409C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710042326.0

申请日：2007-06-21

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  唐立 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/528 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法。相变存储器件中包括：具有半导体薄膜特性的字线、一个或多个金属电极、具有半导体薄膜特性的相变材料、具有半导体薄膜特性的位线。以所述字线或位线与相变薄膜材料形成的异质结二极管，或所述字线或位线与金属电极形成的肖特基二极管，作为1D/1R结构存储器的选通功能单元。本发明的相变存储器结构管理、制造方法简单，并不依赖与衬底硅层，可实现多层相变存储器阵列堆叠，从而大大提高其存储密度。

公开(公告)号：CN101101960A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710043707.0

申请日：2007-07-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  尹明 ,  唐立 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种可降低复位操作电流的电阻存储器。该电阻存储器在金属氧化物电阻存储薄膜和电极之间，或者两层存储介质之间插入一介质薄膜，该介质薄膜的电阻率在10欧·cm以上，通过所插入介质薄膜产生的热量对电阻存储薄膜加热，从而降低复位操作电流。

公开(公告)号：CN101231970B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200810032763.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立

IPC: H01L21/82

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器与二极管集成的制造方法。CuxO电阻存储器与金属氧化物二极管集成形成于铜互连后端工艺之中，其中利用CuxO存储介质的上表层自对准转变形成二极管的p型的铜的氧化物半导体层。该集成制造方法具有工艺过程简单，并能保证CuxO电阻存储器和二极管的可靠性等特点。

公开(公告)号：CN101159310B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710047974.5

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  傅秀峰 ,  陈邦明 ,  吕杭炳 ,  唐立 ,  尹明

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。

公开(公告)号：CN101145598B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200710045405.7

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  唐立

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面CuO层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏，提高器件的疲劳特性。

公开(公告)号：CN101241927A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810034544.4

申请日：2008-03-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  唐立

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管选通的电阻随机存储器件及其制造方法。其选通二极管是通过与CMOS工艺兼容的技术形成于衬底硅中，并与电阻存储单元集成制造形成电阻存储器，存储单元结构简单，相比三极管和场效应管选通的存储器件具有更高的存储密度，同时制造工艺过程相对简单可靠。

公开(公告)号：CN101231970A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810032763.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器与二极管集成的制造方法。CuxO电阻存储器与金属氧化物二极管集成形成于铜互连后端工艺之中，其中利用CuxO存储介质的上表层自对准转变形成二极管的p型的铜的氧化物半导体层。该集成制造方法具有工艺过程简单，并能保证CuxO电阻存储器和二极管的可靠性等特点。

公开(公告)号：CN101159310A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710047974.5

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  傅秀峰 ,  陈邦明 ,  吕杭炳 ,  唐立 ,  尹明

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。