公开(公告)号：CN104718605B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201380053216.8

申请日：2013-09-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·S·安德里 ,  R·A·巴德 ,  J·U·尼克博克 ,  R·E·特里辛斯基 ,  D·C·小拉图利普

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/00 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于加工半导体晶片的方法包括将释放层施加到透明操作体(S11)。在半导体晶片与其上施加有所述释放层的所述透明操作体之间施加不同于所述释放层的粘合层(S12)。使用所述粘合层将所述半导体晶片接合到所述透明操作体(S13)。在所述半导体晶片被接合到所述透明操作体时加工所述半导体晶片(S14)。通过使用激光器透过所述透明操作体照射所述释放层来烧蚀所述释放层(S16)。从所述透明操作体去除所述半导体晶片(S17)。

公开(公告)号：CN103681618B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310428799.X

申请日：2013-09-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·S·安德里 ,  E·G·科尔根 ,  R·L·威斯涅夫

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及具有通孔的功能性玻璃处理晶片。公开了具有电贯穿连接的复合布线电路及其制造方法。所述复合布线电路包括具有第一导电通孔的玻璃。所述第一导电通孔从所述玻璃层的顶面通到所述玻璃层的底面。所述复合布线电路还包括具有第二导电通孔的插入层。所述第二导电通孔从所述插入层的顶面通到所述插入层的底面。所述第二导电通孔被电耦合到所述第一导电通孔。

公开(公告)号：CN101877341A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010166770.5

申请日：2010-04-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·S·安德里 ,  S·L·布赫沃特尔 ,  G·A·卡托皮斯 ,  J·U·尼克博克 ,  S·G·查派帕斯 ,  B·C·韦布

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及可返修的电子器件组件及方法。提供一种电子器件组件，其包括衬底、内插件以及集成电路芯片。所述衬底由具有第一热膨胀率的第一材料制成，并且所述内插件以及所述集成电路由具有第二热膨胀率的第二材料制成。所述第二热膨胀率不同于所述第一热膨胀率，因此在所述衬底与所述内插件或芯片之间存在热膨胀系数失配。所述内插件通过多个第一电接触和至少部分地包围所述电接触的底部填充粘合剂而被耦合到所述衬底，以将所述内插件接合到所述衬底并由此减轻在所述多个第一导电接触上的应变。通过多个第二电接触将所述集成电路芯片耦合到所述内插件而不使用包围所述多个第二电接触的粘合剂。