公开(公告)号：CN115136156B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202180015872.3

申请日：2021-02-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I·劳尔 ,  N·桑达雷桑

IPC: G06N10/00 ,  H04B10/90

Abstract: 提供了可以协助在回波交叉谐振门中的目标量子比特去耦的系统、计算机实现的方法、和/或计算机程序产品。根据实施例，计算机实现的方法可以包括通过操作性地耦接到处理器的系统在目标量子比特处接收交叉谐振脉冲和去耦脉冲两者。交叉谐振脉冲经由控制量子比特传播到目标量子比特。计算机实现的方法可以进一步包括由该系统在控制量子比特处接收状态反转脉冲。计算机实现的方法可以进一步包括由该系统在目标量子比特处接收相位反转的交叉谐振脉冲和相位反转的去耦脉冲两者。相位反转的交叉谐振脉冲经由控制量子比特传播到目标量子比特。

公开(公告)号：CN116583856A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180081855.X

申请日：2021-11-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·麦凯 ,  A·坎达拉 ,  O·蒂亚尔 ,  M·斯蒂芬 ,  I·劳尔

IPC: G06N10/40

Abstract: 一种促进针对量子计算器件的ZZ相互作用的动态控制的技术。在一个示例中，量子耦合器件可以包括偏置组件，该偏置组件经由第一驱动线和第二驱动线被操作地耦合到相应的第一量子比特和第二量子比特。该偏置组件可以使用经由第一驱动线和第二驱动线施加的相应的非谐振微波信号来促进第一量子比特与第二量子比特之间的ZZ相互作用的动态控制。

公开(公告)号：CN116458007A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180069139.X

申请日：2021-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I·劳尔 ,  W·兰德斯 ,  S·斯里尼瓦桑 ,  N·圣达雷桑

IPC: H01P3/08

Abstract: 提供了关于在一个或多个超导微波电子器件中实施的嵌入式微带传输线的技术。例如，在此描述的一个或多个实施例可以包括一种装置，该装置可以包括超导材料层，其位于介电衬底的凸起部分上。凸起部分可从介电衬底的表面延伸。该装置还可以包括介电膜，其覆盖该超导材料层的至少一部分以及该介电衬底的凸起部分。

公开(公告)号：CN106024716B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610179034.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  M·A·圭罗恩 ,  I·劳尔 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/42392 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/401 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 在一个方面中，提供了一种形成具有多个晶体管的CMOS器件的方法，多个晶体管具有不同的Vt，该方法包括：在晶片上形成纳米线和焊盘，其中纳米线被悬置在晶片的氧化物层上方的变化高度处；以及通过如下方式形成至少部分地围绕每个纳米线的一部分的晶体管的栅极堆叠：i)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上沉积保形栅极电介质；ii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形栅极电介质上沉积保形功函数金属，其中基于纳米线在氧化物层上方悬置的变化的高度而改变沉积在纳米线周围的保形功函数金属的量；以及iii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形功函数金属上沉积保形多晶硅层。

公开(公告)号：CN106024714A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610170232.0

申请日：2016-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·M·科恩 ,  I·劳尔 ,  A·雷兹奈斯克 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/413 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/775 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/43

Abstract: 一种器件包括：衬底层；限定nFET(n型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第一集合；限定pFET(p型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第二集合；第一悬置纳米线，至少部分地悬置在nFET区域中的衬底层之上并且由III‑V族材料制成；以及第二悬置纳米线，至少部分地悬置在pFET区域中的衬底层之上并且由含锗材料制成。在一些实施例中，通过在含锗的释放层的顶部上添加合适的纳米线层并且随后移除含锗的释放层以使得纳米线悬置而制造第一悬置纳米线和第二悬置纳米线。

公开(公告)号：CN102906879B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180024970.X

申请日：2011-04-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I·劳尔 ,  P·M·索罗门 ,  S·J·克斯特 ,  A·马宗达

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L29/7391

Abstract: 示范性实施例包括一种用于制造异质结隧道场效应晶体管（FET）的方法，该方法包括在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层上形成栅极区域，在硅层上邻近栅极区域形成漏极区域并且邻近栅极区域形成垂直异质结源极区域，其中垂直异质结源极区域产生符合与栅极区域相关的栅极场的隧道路径。

公开(公告)号：CN102906879A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180024970.X

申请日：2011-04-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I·劳尔 ,  P·M·索罗门 ,  S·J·克斯特 ,  A·马宗达

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L29/7391

Abstract: 示范性实施例包括一种用于制造异质结隧道场效应晶体管（FET）的方法，该方法包括在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层上形成栅极区域，在硅层上邻近栅极区域形成漏极区域并且邻近栅极区域形成垂直异质结源极区域，其中垂直异质结源极区域产生符合与栅极区域相关的栅极场的隧道路径。

公开(公告)号：CN101388340A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215921.4

申请日：2008-09-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·W·斯雷特 ,  毛玉莲 ,  I·劳尔 ,  张立伦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明涉及金属高k晶体管及其制备方法。公开了一种减小金属高介电常数(MHK)晶体管中的寄生电容的方法。所述方法包括在衬底上形成MHK栅极叠层，所述MHK栅极叠层具有包括高介电常数材料的底层、包括金属的中间层、以及包括非晶硅或多晶硅中的一种的顶层。所述方法还在所述MHK栅极叠层的侧壁上形成耗尽的侧壁层以覆盖所述中间层和所述顶层而不覆盖所述底层。所述耗尽的侧壁层为非晶硅或多晶硅中的一种。所述方法还在所述耗尽的侧壁层之上和在所述底层的暴露的表面之上形成补偿隔离物层。