全微波ZZ控制
    1.
    发明公开
    全微波ZZ控制 审中-实审

    公开(公告)号:CN116583856A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202180081855.X

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 一种促进针对量子计算器件的ZZ相互作用的动态控制的技术。在一个示例中,量子耦合器件可以包括偏置组件,该偏置组件经由第一驱动线和第二驱动线被操作地耦合到相应的第一量子比特和第二量子比特。该偏置组件可以使用经由第一驱动线和第二驱动线施加的相应的非谐振微波信号来促进第一量子比特与第二量子比特之间的ZZ相互作用的动态控制。

    用于使用局部谐振器来耦合量子位的架构

    公开(公告)号:CN107851876B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201680031319.8

    申请日:2016-05-23

    Abstract: 一种技术涉及超导微波腔。柱体阵列在腔(100)中具有不同的高度,并且该阵列支持局部微波模式。柱体阵列包括较低谐振频率柱体(20)和较高谐振频率柱体(10)。较高谐振频率柱体(10)被布置在较低谐振频率柱体(20)的周围。在腔中(100),第一板(25)与第二板(30)相对。较低谐振频率柱体(20)的一端被定位在第二板(30)上,以便被电连接到第二板(30)。该阵列中较低谐振频率柱体(20)的另一端是开放的,以便不形成与第一板(25)的电连接。量子位(40)被连接到柱体阵列中的较低谐振频率柱体(20),使得每个量子位(40)都被物理地连接到柱体阵列中的较低谐振频率柱体(20)中的一个或两个较低谐振频率柱体(20)。

    针对增强连接性的多模式耦合器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120019389A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202380064812.X

    申请日:2023-09-01

    Abstract: 提出了用于管理在量子比特之间耦合的技术和耦合器。第一可调谐耦合器量子比特(TCQ)可以包括第一频率模式和第二频率模式。第二TCQ可以包括第三频率模式和第四频率模式。第一TCQ可以基于第一频率模式来被选择性地耦合到第一量子比特,并且基于第二频率模式和第三频率模式来被选择性地耦合到第二TCQ。第二TCQ可以基于第四频率模式来被选择性地耦合到第二量子比特。当某些相应磁通量被应用于第一TCQ和第二TCQ时,可以抑制该第一量子比特与第二量子比特之间的ZZ交互。当相应经修改的磁通量被应用于第一TCQ和第二TCQ以激发相应频率模式时,可以发生耦合,并且可以在第一量子比特和第二量子比特之间创建ZZ交互和纠缠门控。

    用于使用局部谐振器来耦合量子位的架构

    公开(公告)号:CN107851876A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680031319.8

    申请日:2016-05-23

    Abstract: 一种技术涉及超导微波腔。柱体阵列在腔(100)中具有不同的高度,并且该阵列支持局部微波模式。柱体阵列包括较低谐振频率柱体(20)和较高谐振频率柱体(10)。较高谐振频率柱体(10)被布置在较低谐振频率柱体(20)的周围。在腔中(100),第一板(25)与第二板(30)相对。较低谐振频率柱体(20)的一端被定位在第二板(30)上,以便被电连接到第二板(30)。该阵列中较低谐振频率柱体(20)的另一端是开放的,以便不形成与第一板(25)的电连接。量子位(40)被连接到柱体阵列中的较低谐振频率柱体(20),使得每个量子位(40)都被物理地连接到柱体阵列中的较低谐振频率柱体(20)中的一个或两个较低谐振频率柱体(20)。

    超导量子比特中的二能级系统的激光按需加扰

    公开(公告)号:CN120019392A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202380072323.9

    申请日:2023-09-08

    Abstract: 提供了用于缓解在量子处理器中的缺陷的影响的方法和系统。缓解系统使用了施加光脉冲和检查量子比特弛豫时间的迭代过程来消除或最小化与量子比特的二能级系统(TLS)交互。该系统施加第一光脉冲以照射具有一个或多个量子比特的量子处理器。该系统在施加第一光脉冲之后接收在不同电场频率下测量的量子比特弛豫时间。该系统在确定所接收的量子比特弛豫时间指示在该量子处理器中存在强耦合TLS时施加第二光脉冲以照射该量子处理器。

    在具有持续电流环路的通量可调谐传输子中产生DC偏移

    公开(公告)号:CN119896083A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202380066442.3

    申请日:2023-09-05

    Abstract: 一种量子电路装置(200)包括量子比特芯片,量子比特芯片包括多个量子比特(220)和多个通量可调谐耦合器(225)。多个固定频率量子比特被安排在晶格结构中,其中该多个固定频率量子比特中的每一对被耦合到一个通量可调谐耦合器上。布线层耦合到量子比特芯片,并且布线层包括由超导材料构成的环路(210),该环路被感应耦合到通量可调谐耦合器。通量偏置线(205)由与所述环的超导材料不同的超导材料构成,其中通量偏置线感应耦合到环路和通量可调谐耦合器两者。

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