公开(公告)号：CN103681618B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310428799.X

申请日：2013-09-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·S·安德里 ,  E·G·科尔根 ,  R·L·威斯涅夫

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及具有通孔的功能性玻璃处理晶片。公开了具有电贯穿连接的复合布线电路及其制造方法。所述复合布线电路包括具有第一导电通孔的玻璃。所述第一导电通孔从所述玻璃层的顶面通到所述玻璃层的底面。所述复合布线电路还包括具有第二导电通孔的插入层。所述第二导电通孔从所述插入层的顶面通到所述插入层的底面。所述第二导电通孔被电耦合到所述第一导电通孔。

公开(公告)号：CN103943515A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410024948.0

申请日：2014-01-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·G·科尔根 ,  罗载雄

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00012 ,  H01L24/13

Abstract: 本发明涉及具有电绝缘壁的芯片堆叠及其形成方法。提供了一种形成芯片堆叠的方法，该方法包括：使焊料衬垫沿着衬底的主表面的平面排列，在所述焊料衬垫中的相邻焊料衬垫之间形成电绝缘材料壁。

公开(公告)号：CN1627508A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410090966.5

申请日：2004-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·G·科尔根 ,  C·费格尔 ,  G·F·戈特 ,  G·A·卡托皮斯 ,  J·H·梅格莱因 ,  E·J·斯普罗吉斯

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在集成电路封装结构中，如在MCM或SCM中，在发热的集成电路芯片和附着于其上的基片之间施加顺从导热材料。在芯片背面上限定升高部分，它们与芯片的活跃前表面上高于平均功率密度的区域对准，以使组装后在该区域在芯片和基片之间放置的顺从导热材料层较薄，从而使在芯片上的“热点”温度降低。在一个实施示例中，该基片包括散热片、冷却板、散热器、散热管、散热帽、封装顶盖或其它冷却部件之一。

公开(公告)号：CN103943515B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410024948.0

申请日：2014-01-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·G·科尔根 ,  罗载雄

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及具有电绝缘壁的芯片堆叠及其形成方法。提供了一种形成芯片堆叠的方法，该方法包括：使焊料衬垫沿着衬底的主表面的平面排列，在所述焊料衬垫中的相邻焊料衬垫之间形成电绝缘材料壁。

公开(公告)号：CN100568491C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200510078689.0

申请日：2005-06-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·J·贝扎马 ,  E·G·科尔根 ,  J·H·梅格莱因 ,  R·R·施密特

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/473

CPC classification number: F28F3/04 ,  F28F3/12 ,  F28F2260/02 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于比如IC芯片的电子器件微通道冷却的设备和方法，它们能实现具有非均匀功率密度分布的高功率密度电子器件有效且低操作电压的微通道冷却，所述电子器件面向下安装在封装衬底上。例如，用于冷却IC芯片的集成微通道冷却装置(或微通道散热器装置)用于提供均匀的冷却剂流体流动和分配，并使冷却剂流动路径上的压降最小，以及为具有更高平均功率密度的IC芯片的高功率密度区域(或“热点”)提供可变的局部冷却能力。

公开(公告)号：CN1728365A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510078689.0

申请日：2005-06-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·J·贝扎马 ,  E·G·科尔根 ,  J·H·梅格莱因 ,  R·R·施密特

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/473

CPC classification number: F28F3/04 ,  F28F3/12 ,  F28F2260/02 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于比如IC芯片的电子器件微通道冷却的设备和方法，它们能实现具有非均匀功率密度分布的高功率密度电子器件有效且低操作电压的微通道冷却，所述电子器件面向下安装在封装衬底上。例如，用于冷却IC芯片的集成微通道冷却装置(或微通道散热器装置)用于提供均匀的冷却剂流体流动和分配，并使冷却剂流动路径上的压降最小，以及为具有更高平均功率密度的IC芯片的高功率密度区域(或“热点”)提供可变的局部冷却能力。