公开(公告)号：CN102239566B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200980148633.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/052 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及光电转换元件及太阳能电池，具备由非晶质硅形成的nip结构，利用使n+型a-Si层接触由n+型ZnO层形成的透明电极的结构，提高能量转换效率。由此，能够将对地球资源的影响抑制在最小限，能够实现大面积、大功率的光电转换元件及太阳能电池模块。

公开(公告)号：CN103456836A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310351564.5

申请日：2009-02-10

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，准备具有导电性表面的基材；对该导电性表面实施物理清洗，接着依次实施与超声波清洗合并进行的碱清洗、与超声波清洗合并进行的纯净水清洗以及与超声波清洗合并进行的臭氧水清洗，由此清洗该导电性表面；随后在该清洗过的导电性表面上直接设置n型、i型、p型结构的半导体薄膜；接着，在p型结构的半导体薄膜的外表面设置透明电极之后，利用氮化物系的水分扩散防止膜覆盖所述半导体薄膜的光入射侧和侧面。

公开(公告)号：CN101641458B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200880009416.2

申请日：2008-03-28

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

Abstract: 在旋转磁铁溅射装置中，为了减少因靶的消耗而引起靶表面发生变化，导致成膜率经时变化的情况，对靶的消耗变位量进行测定，根据测定结果，调整旋转磁铁组与靶之间的距离，从而长时间实现均匀的成膜率。作为测定靶的消耗变位量的机构，可以使用超声波传感器，也可以使用激光发送接收装置。

公开(公告)号：CN103210477A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054435.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  大桥朋贡 ,  吉川和博 ,  吉田达朗 ,  内村彻平 ,  添田一喜 ,  须川成利

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L27/12 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0248 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6708 ,  H01L27/1464 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明课题在于提供SOI基板的蚀刻方法，该方法是能够高速且平整地湿式蚀刻Si基板的蚀刻方法。氢氟酸-硝酸一般写作HF（a）HNO3（b）H2O（c）（其中，a、b和c的单位为wt%，a+b+c=100）。本发明人等发现，通过适当地选择组成，使用高浓度氢氟酸-硝酸的SiO2层的蚀刻速率明显比Si基板的蚀刻速率低，对Si基板进行蚀刻直至SiO2层露出。通过如此操作，可以高速地蚀刻Si基板，并且相比以往可显著地提高蚀刻后的表面的平整性。即使高浓度氢氟酸-硝酸的组成稍微蚀刻了SiO2层，由于Si基板的蚀刻快速完成，所以实质上SiO2层的蚀刻也基本不进行，具有平整表面的SiO2层露出。

公开(公告)号：CN102084023B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200980123383.9

申请日：2009-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  关伸彰 ,  川上聪 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3423

Abstract: 在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。

公开(公告)号：CN102016107B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200880128669.1

申请日：2008-04-11

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  北野真史 ,  山荫久明 ,  山田义人

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228

Abstract: 一种均热装置，包括：容器构造体，该容器构造体具有在内部填充有工作流体、且对被加热材料加热以使被加热材料汽化的加热块(1)；加热单元(6)，该加热单元(6)配置在容器构造体的底部；以及材料供应管(11)，该材料供应管(11)将容器构造体的外侧与内侧连通。在加热块(1)上形成有作为供被加热材料流动的流路的、与材料供应管(11)相连接并朝水平方向延伸的总集气管(12)以及从总集气管(12)分岔并向上下方向延伸的竖管(14)，此外，还形成有作为对工作流体进行冷却冷凝的冷凝路的、形成于竖管(14)两侧并朝水平方向延伸的冷凝孔(10)以及形成于竖管(14)下侧的冷凝槽(16)。在冷凝孔(10)与冷凝槽(16)之间配置有总集气管(12)。

公开(公告)号：CN101622699B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880006449.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  安田圣治 ,  井口敦智 ,  松冈孝明 ,  川村刚平 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。

公开(公告)号：CN101218375B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200680025075.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森永均 ,  岸幸男 ,  大泷浩通 ,  传井美史

IPC: C23C26/00 ,  C23C16/40 ,  B08B3/12 ,  C23C28/04 ,  C23C14/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  B08B2203/0288 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C16/405 ,  C23C16/545 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252

Abstract: 现在，迅速且经济性地提供大型的陶瓷构件处于困难的状况。通过在比较容易制作的材料上形成的基材上形成陶瓷膜，构成多层构造体。陶瓷膜可以通过等离子体熔射、CVD、PVD或者溶胶-凝胶法等方法制成，另外也可以通过与熔射膜组合的方法进行成膜。

公开(公告)号：CN102597587A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050629.7

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社富士金 ,  东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 池田信一 ,  山路道雄 ,  谷川毅 ,  金子裕是 ,  八木靖司 ,  小野裕司 ,  大见忠弘 ,  白井泰雪

IPC: F16K31/126 ,  F16K1/34 ,  F16K51/02

CPC classification number: F16K31/126 ,  F16K1/34 ,  F16K25/005 ,  Y10T137/776

Abstract: 本发明提供一种提高阀的开关精度的调整阀装置。调整阀装置（300）包括：具有阀体头部（310a）的阀体（310）；向阀体传递动力的动力传递部件（320a）；以能够滑动的方式内置阀体的阀箱（305）；第一波纹管（320b），相对于动力传递部件在与阀体相反一侧的位置形成第一空间（Us）；第二波纹管（320c），相对于动力传递部件在阀体一侧的位置形成第二空间（Ls）；与第一空间连通的第一配管（320d）；和与第二空间连通的第二配管（320e）。根据从供给第一空间和供给第二空间的工作流体的压力比率，从动力传递部件向阀体传递动力，由此，通过阀体头部开关形成于阀箱中的搬送路径。阀体头部的维氏硬度比阀体头部所接触的搬送路径的阀座面的维氏硬度硬，其硬度差大概是200～300Hv。

公开(公告)号：CN102498231A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080033945.3

申请日：2010-07-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/02 ,  H05K3/14

CPC classification number: H05K3/16 ,  C23C14/022 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H05K3/381 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1572

Abstract: 本发明的课题在于提供在布线基板的制造中采用溅射工艺，并且可以提高生产率以及降低运行成本的布线基板等离子体处理装置。本发明的布线基板等离子体处理装置在同一等离子体处理室内具备：表面处理部，其具备等离子体源，进行被处理基板的预处理；和多个溅射成膜部，其形成由多层膜形成的籽晶层。