公开(公告)号：CN103210477A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054435.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  大桥朋贡 ,  吉川和博 ,  吉田达朗 ,  内村彻平 ,  添田一喜 ,  须川成利

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L27/12 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0248 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6708 ,  H01L27/1464 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明课题在于提供SOI基板的蚀刻方法，该方法是能够高速且平整地湿式蚀刻Si基板的蚀刻方法。氢氟酸-硝酸一般写作HF（a）HNO3（b）H2O（c）（其中，a、b和c的单位为wt%，a+b+c=100）。本发明人等发现，通过适当地选择组成，使用高浓度氢氟酸-硝酸的SiO2层的蚀刻速率明显比Si基板的蚀刻速率低，对Si基板进行蚀刻直至SiO2层露出。通过如此操作，可以高速地蚀刻Si基板，并且相比以往可显著地提高蚀刻后的表面的平整性。即使高浓度氢氟酸-硝酸的组成稍微蚀刻了SiO2层，由于Si基板的蚀刻快速完成，所以实质上SiO2层的蚀刻也基本不进行，具有平整表面的SiO2层露出。

公开(公告)号：CN102473626A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029796.3

申请日：2010-05-27

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  根本刚直 ,  村川顺之 ,  吉川和博

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6838

Abstract: 一种湿式处理装置，其将被处理基板保持在工作台上，并使上述工作台旋转从而进行湿式处理。上述被处理基板通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离，并且使用向该被处理基板的背面排放惰性气体的伯努利吸盘将其保持在上述工作台上，从而随着上述工作台的旋转，上述被处理基板偏心旋转。在上述工作台内的旋转轴部分设置有用于上述伯努利吸盘的第一气体供给路，在上述工作台中还设置有与上述第一气体供给路连通，且用于向上述被处理基板的背面导入惰性气体的第二气体供给路，该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。