公开(公告)号：CN115732461A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210921324.3

申请日：2022-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪金华 ,  赖柏辰 ,  陈秉泰 ,  杨哲嘉 ,  林昱圣 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13

Abstract: 提供芯片封装结构与其形成方法。方法包括移除基板的第一部分以形成第一凹陷于基板中。方法包括形成缓冲结构于第一凹陷中。缓冲结构的第一杨氏系数小于基板的第二杨氏系数。方法包括形成第一线路结构于缓冲结构与基板上。第一线路结构包括第一介电结构与第一线路层位于第一介电结构中。方法包括接合芯片封装至第一线路结构。芯片封装具有中介基板与芯片结构位于中介基板上，且中介基板的第一角落与芯片结构的第二角落在芯片封装与缓冲结构的上视图中均与缓冲结构重叠。

公开(公告)号：CN115565958A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943437.3

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪金华 ,  叶书伸 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/10 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提出一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一封装元件和第二封装元件，第二封装元件包括基底，且电子元件设置于基底上。第一封装元件安装于基底上。封装结构还包括环状结构，设置于第二封装元件上且在第一封装元件周围。环状结构具有第一接脚和第二接脚，第一接脚和第二接脚朝向基底延伸，电子元件被环状结构覆盖且位于第一接脚和第二接脚之间，且第一封装元件显露于环状结构。

公开(公告)号：CN115565954A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210562587.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪金华 ,  赖柏辰 ,  叶书伸 ,  李宗彦 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例涉及多芯片元件以及形成方法。一种多芯片元件包含在衬底内的第一材料。所述第一材料具有第一热膨胀系数，所述第一热膨胀系数与所述衬底的第二热膨胀系数不同。第一芯片位于所述第一材料的第一部分以及所述衬底的第一部分之上。第二芯片位于所述第一材料的第二部分以及所述衬底的第二部分之上。所述第一材料位于所述衬底的所述第一部分与所述衬底的所述第二部分之间。

公开(公告)号：CN115497900A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210071801.1

申请日：2022-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪金华 ,  叶书伸 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488

Abstract: 一些实施例有关于一种半导体结构。半导体结构包括第一衬底，第一衬底包括在第一衬底上彼此横向间隔开的第一多个导电垫。第一多个导电凸块分别设置在第一多个导电垫上。多层阻焊结构设置在第一衬底上且排列在第一多个导电垫之间。多层阻焊结构在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触所述第一多个导电凸块的侧壁以将所述第一多个导电凸块彼此分隔。

公开(公告)号：CN115241151A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210577915.3

申请日：2022-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪金华 ,  郑心圃 ,  林柏尧 ,  赖柏辰 ,  叶书伸 ,  游明志 ,  林昱圣

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

Abstract: 一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包括相邻的第一及第二半导体裸片，接合于中介基底上。芯片封装结构也包括一绝缘层，形成于中介基底上。绝缘层具有一第一部环绕第一及第二半导体裸片及一第二部延伸于第一半导体裸片的一第一侧壁与第二半导体裸片的一第二侧壁之间，并延伸于中介基底与第一及第二半导体裸片之间。第一侧壁的一顶端到第二侧壁的一顶端的一横向距离大于第一侧壁的一底端到第二侧壁的一底端的一横向距离。

公开(公告)号：CN114765143A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111085129.3

申请日：2021-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  林柏尧 ,  林昱圣 ,  赖柏辰 ,  郑心圃

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 一种半导体装置包括衬底、封装结构、第一散热器及第二散热器。封装结构设置在衬底上。第一散热器设置在衬底上。第一散热器环绕封装结构。第二散热器设置在封装结构上。第二散热器连接到第一散热器。第一散热器的材料不同于第二散热器的材料。

公开(公告)号：CN115565961A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210944774.4

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  游明志 ,  廖莉菱 ,  汪金华 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种封装结构。封装结构包括位于基板上方的重分布结构、位于重分布结构上方并电耦接到基板的半导体晶粒、以及位于基板上方并密封重分布结构和半导体晶粒的底部填充材料。底部填充材料包括与半导体晶粒的角落重叠并延伸到基板中的延伸部分。

公开(公告)号：CN115565956A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210921593.X

申请日：2022-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  赖柏辰 ,  杨哲嘉 ,  廖莉菱 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了一种封装结构及其形成方法。方法包括在一基板之上设置一芯片结构。芯片结构具有一倾斜侧壁，倾斜侧壁与一垂直方向成一锐角，垂直方向为垂直于芯片结构主表面的方向，且锐角介于约12度至约45度之间。方法更包括形成一保护层以围绕芯片结构。

公开(公告)号：CN115513149A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210061839.0

申请日：2022-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖莉菱 ,  游明志 ,  杨哲嘉 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 半导体封装包括重布线结构、第一导电柱和第二导电柱，以及半导体器件。重布线结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一导电柱和第二导电柱设置在重布线结构的第一表面上并与重布线结构电连接，其中第一导电柱的最大横向尺寸大于第二导电柱的最大横向尺寸，第一导电柱的顶部表面的形貌变化大于第二导电柱的顶部表面的形貌变化。半导体器件设置在重布线结构的第一表面之上，其中半导体器件包括第三导电柱和第四导电柱，第三导电柱通过第一接合结构结合到第一导电柱，并且第四导电柱通过第二接合结构结合到第二导电柱。

公开(公告)号：CN115497886A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210137526.9

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许佳桂 ,  游明志 ,  赖柏辰 ,  汪金华 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 在本公开实施例中，半导体封装包括：重布线结构，包括多个第一导电图案和多个第二导电图案，其中所述第一导电图案分别为类椭圆形，所述第二导电图案分别为圆形；管芯，设置在所述重布线结构上方且与所述重布线结构电连接；底胶，位于所述管芯和所述重布线结构之间；以及包封体，包封所述管芯且位于所述重布线结构上方。