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公开(公告)号：CN103378808B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210299998.0
申请日：2012-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03F1/223 , H01L27/0727 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/492
Abstract: 一种低噪声放大器包括具有栅极和源极的第一晶体管，该栅极被配置成接收振荡输入信号，而该源极接地。第二晶体管具有与第一晶体管的漏极相连接的源极，与偏执电压相连接的栅极，以及与输出节点相连接的漏极。第一和第二晶体管中的至少一个包括有与隔离电路相连接的浮置的深n阱。本发明还提供了一种带有浮置阱的放大器。
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公开(公告)号：CN118199533A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410185160.1
申请日：2024-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03F3/19 , H03F1/56 , H03F1/26 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种放大器系统包括具有输入分流电容的输入焊盘、具有输出分流电容的输出焊盘和高频放大器，高频放大器包括耦合到输入焊盘的输入端子和耦合到输出焊盘的输出端子。输入分流电容大于输出分流电容。本申请的实施例还提供了形成放大器系统的方法。
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公开(公告)号：CN106252232B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201610090342.6
申请日：2016-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。
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公开(公告)号：CN104051415B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310323082.9
申请日：2013-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H03B5/18 , H03L7/08
CPC classification number: H03B5/1256 , H01F2021/125 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B2201/0216 , H03J3/20 , H03J3/22
Abstract: 本发明公开了可变电感器、包含该可变电感器的压控振荡器和锁相环，其中，该可变电感器包括设置在衬底上方的信号线。可变电感器还包括：第一接地面，位于衬底上方，第一接地面设置在信号线的第一侧；以及第二接地面，位于衬底上方，第二接地面设置在与信号线的第一侧相对的信号线的第二侧上。可变电感器还包括：第一浮置面，位于衬底上方，第一浮置面设置在第一接地面和信号线之间；以及第二浮置面，位于衬底上方，第二浮置面设置在第二接地面和信号线之间。可变电感器还包括开关阵列，开关阵列被配置为选择性地将第一接地面连接至第一浮置面，并且选择性地将第二接地面连接至第二浮置面。
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公开(公告)号：CN102780487B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110349020.6
申请日：2011-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R31/2824
Abstract: 一种用于检测压控振荡器的内置自检测电路，包括：压控振荡器；缓冲器，具有连接至压控振荡器的输出的输入；以及射频峰值检测器，连接至缓冲器的输出。将射频峰值检测器配置为接收来自压控振荡器的交流信号，并且生成与在射频峰值检测器的输出处的交流信号成比例的直流值。此外，当压控振荡器正确运行时，射频峰值检测器的输出生成与来自压控振荡器的交流信号的幅度成比例的直流值。另一方面，当压控振荡器不能生成交流信号时，射频峰值检测器的输出端处于0伏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102412832B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110073490.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03L7/18
Abstract: 本发明揭露一种注入锁定式除频器、相位锁定回路以及集成电路。集成电路和相位锁定回路分别包含前述的注入锁定式除频器、相位频率侦测器、信号产生器以及除频器。注入锁定式除频器包含差动直接注入对和震荡器。差动直接注入对是设置来接收和混合多个差动注入信号。震荡器是电性连接至差动直接注入对并基于被混合的差动注入信号来产生操作频率。
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公开(公告)号：CN103378808A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210299998.0
申请日：2012-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03F1/223 , H01L27/0727 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/492
Abstract: 一种低噪声放大器包括具有栅极和源极的第一晶体管，该栅极被配置成接收振荡输入信号，而该源极接地。第二晶体管具有与第一晶体管的漏极相连接的源极，与偏执电压相连接的栅极，以及与输出节点相连接的漏极。第一和第二晶体管中的至少一个包括有与隔离电路相连接的浮置的深n阱。本发明还提供了一种带有浮置阱的放大器。
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公开(公告)号：CN102780453A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110391131.3
申请日：2011-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B2201/0266
Abstract: 一种系统，包括：压控振荡器，具有电感器和可变电容器；以及控制电容器阵列，与可变电容器并联连接。控制电容器阵列进一步包括：多个电容器组，其中，采用温度计编码来控制每个电容器组。另外，当通过n位温度计编码控制开关电容器阵列时，开关电容器阵列提供用于压控振荡器的振荡频率的N个调节步骤。
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公开(公告)号：CN118486685A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311862926.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/58 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括具有在电路上方形成的重分布层(RDL)的电路。重分布层包括多个金属层。电感器形成在最上面的金属层中，并且电路直接位于电感器下方。凸块下金属化(UBM)层形成在最上面的金属层上和导电连接件形成在UBM层上。本发明的实施例还提供了一种半导体结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN112986792A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010660661.2
申请日：2020-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种测试电路包括：放大器，被配置成接收交流信号，并基于交流信号输出经放大交流信号；第一检测电路，被配置成产生第一直流电压，第一直流电压具有基于交流信号的振幅的第一值；及第二检测电路，被配置成产生第二直流电压，第二直流电压具有基于经放大交流信号的振幅的第二值。
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