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公开(公告)号:CN104051415A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310323082.9
申请日:2013-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H03B5/18 , H03L7/08
CPC classification number: H03B5/1256 , H01F2021/125 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B2201/0216 , H03J3/20 , H03J3/22
Abstract: 本发明公开了可变电感器、包含该可变电感器的压控振荡器和锁相环,其中,该可变电感器包括设置在衬底上方的信号线。可变电感器还包括:第一接地面,位于衬底上方,第一接地面设置在信号线的第一侧;以及第二接地面,位于衬底上方,第二接地面设置在与信号线的第一侧相对的信号线的第二侧上。可变电感器还包括:第一浮置面,位于衬底上方,第一浮置面设置在第一接地面和信号线之间;以及第二浮置面,位于衬底上方,第二浮置面设置在第二接地面和信号线之间。可变电感器还包括开关阵列,开关阵列被配置为选择性地将第一接地面连接至第一浮置面,并且选择性地将第二接地面连接至第二浮置面。
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公开(公告)号:CN103378808B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201210299998.0
申请日:2012-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03F1/223 , H01L27/0727 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/492
Abstract: 一种低噪声放大器包括具有栅极和源极的第一晶体管,该栅极被配置成接收振荡输入信号,而该源极接地。第二晶体管具有与第一晶体管的漏极相连接的源极,与偏执电压相连接的栅极,以及与输出节点相连接的漏极。第一和第二晶体管中的至少一个包括有与隔离电路相连接的浮置的深n阱。本发明还提供了一种带有浮置阱的放大器。
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公开(公告)号:CN104733427B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201410100617.0
申请日:2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H03L7/099 , H03L7/18
CPC classification number: H01F27/42 , H01F21/12 , H01F27/2804 , H01F27/40 , H01F29/02 , H01F2021/125 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L27/0688 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/1256 , H03B2201/0216 , H03L7/099
Abstract: 本发明提供了具有螺旋电感器的可变电感器、包括其的压控振荡器及锁相环。一种可变电感器包括衬底上方的螺旋电感器,螺旋电感器包括环状部分。可变电感器进一步包括:衬底上方的接地环,接地环至少围绕螺旋电感器的环状部分;以及衬底上方的浮置环,浮置环设置在接地环和螺旋电感器之间。可变电感器进一步包括开关阵列,该开关阵列被配置为将接地环选择性地连接至浮置环。
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公开(公告)号:CN104733427A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201410100617.0
申请日:2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H03L7/099 , H03L7/18
CPC classification number: H01F27/42 , H01F21/12 , H01F27/2804 , H01F27/40 , H01F29/02 , H01F2021/125 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L27/0688 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/1256 , H03B2201/0216 , H03L7/099
Abstract: 本发明提供了具有螺旋电感器的可变电感器、包括其的压控振荡器及锁相环。一种可变电感器包括衬底上方的螺旋电感器,螺旋电感器包括环状部分。可变电感器进一步包括:衬底上方的接地环,接地环至少围绕螺旋电感器的环状部分;以及衬底上方的浮置环,浮置环设置在接地环和螺旋电感器之间。可变电感器进一步包括开关阵列,该开关阵列被配置为将接地环选择性地连接至浮置环。
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公开(公告)号:CN104051415B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201310323082.9
申请日:2013-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H03B5/18 , H03L7/08
CPC classification number: H03B5/1256 , H01F2021/125 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B2201/0216 , H03J3/20 , H03J3/22
Abstract: 本发明公开了可变电感器、包含该可变电感器的压控振荡器和锁相环,其中,该可变电感器包括设置在衬底上方的信号线。可变电感器还包括:第一接地面,位于衬底上方,第一接地面设置在信号线的第一侧;以及第二接地面,位于衬底上方,第二接地面设置在与信号线的第一侧相对的信号线的第二侧上。可变电感器还包括:第一浮置面,位于衬底上方,第一浮置面设置在第一接地面和信号线之间;以及第二浮置面,位于衬底上方,第二浮置面设置在第二接地面和信号线之间。可变电感器还包括开关阵列,开关阵列被配置为选择性地将第一接地面连接至第一浮置面,并且选择性地将第二接地面连接至第二浮置面。
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公开(公告)号:CN103378808A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201210299998.0
申请日:2012-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03F1/223 , H01L27/0727 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/492
Abstract: 一种低噪声放大器包括具有栅极和源极的第一晶体管,该栅极被配置成接收振荡输入信号,而该源极接地。第二晶体管具有与第一晶体管的漏极相连接的源极,与偏执电压相连接的栅极,以及与输出节点相连接的漏极。第一和第二晶体管中的至少一个包括有与隔离电路相连接的浮置的深n阱。本发明还提供了一种带有浮置阱的放大器。
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