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公开(公告)号：CN115472669A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210785513.2
申请日：2022-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的第一纳米结构和第二纳米结构。半导体结构还包括栅极结构，栅极结构包括包裹环绕第一纳米结构的第一部分和包裹环绕第二纳米结构的第二部分。半导体结构还包括夹在栅极结构的第一部分和第二部分之间的介电部件。此外，介电部件包括底部和在底部上方的顶部，并且介电部件的顶部包括壳层和由壳层围绕的芯部。
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公开(公告)号：CN114975264A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210292174.4
申请日：2022-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本文公开了半导体结构的形成方法，包括提供结构，结构包括长度方向沿第一方向且宽度方向沿垂直于第一方向的第二方向的鳍片；邻近鳍片侧壁的隔离结构；在鳍片上方的第一和第二源极/漏极部件；形成蚀刻遮罩，露出第一源极/漏极部件下方鳍片的第一部分，且覆盖第二源极/漏极部件下方鳍片的第二部分；去除鳍片的第一部分，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第一介电部件；去除鳍片的第二部分以形成第二沟槽，其中隔离结构形成第二沟槽的多个第二侧壁；横向蚀刻第二沟槽的第二侧壁以延伸第二沟槽；在横向蚀刻之后在第二沟槽中形成导孔结构。
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公开(公告)号：CN114334821A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110855917.X
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括形成鳍状结构于基板上，其中鳍状结构包括基底层、隔离层位于基底层上、与多个通道层与多个第一牺牲层交错的堆叠位于隔离层上。方法还包括形成隔离结构以与鳍状结构的侧壁相邻，其中隔离结构的上表面高于隔离层的下表面并低于隔离层的上表面。方法还包括沉积第二牺牲层于隔离结构上与鳍状结构的侧壁上；蚀刻第二牺牲层与鳍状结构，以形成两个源极/漏极沟槽，其中源极/漏极沟槽露出基底层；经由源极/漏极沟槽部分地移除第一牺牲层与第二牺牲层以形成多个间隙；以及沉积介电间隔物于间隙中。
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公开(公告)号：CN112309964A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010757823.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了形成半导体器件结构的方法。方法包括在半导体衬底上的介电层中形成沟槽；通过选择性沉积在沟槽的下部中形成第一金属的底部金属部件；在沟槽的上部中沉积阻挡层，阻挡层直接接触底部金属部件的顶面和介电层的侧壁；并且在阻挡层上形成填充在沟槽的上部中的第二金属的顶部金属部件，其中第二金属的组成与第一金属不同。本发明的实施例还提供了半导体器件结构。
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公开(公告)号：CN117393565A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311058239.X
申请日：2023-08-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 器件包括：半导体纳米结构的堆叠件；栅极结构，包裹半导体纳米结构，栅极结构在第一方向上延伸；源极/漏极区域，在横向于第一方向的第二方向上邻接栅极结构和堆叠件；接触结构，位于源极/漏极区域上；背侧导电迹线，位于堆叠件下面，背侧导电迹线在第二方向上延伸；第一通孔，第一通孔从接触结构垂直延伸至背侧介电层的顶面；以及栅极隔离结构，栅极隔离结构在第二方向上邻接第一通孔。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116266593A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310033252.3
申请日：2023-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 根据本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括半导体器件结构，包括第一介电层。第一多个纳米结构设置在第一介电层上，第一多个纳米结构彼此重叠。第一源极/漏极区域横向地邻近第一多个纳米结构的第一侧设置。第二介电层在第一源极/漏极区域的第一侧上。正面源极/漏极接触件设置在第一源极/漏极区域的与第一侧相对的第二侧上，并且背面源极/漏极接触件设置在第一源极/漏极区域的第一侧上。背面源极/漏极接触件延伸穿过第二介电层。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN115148731A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210529923.0
申请日：2022-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/16 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体结构，包括一外延区域，具有前侧及背侧。半导体结构包括一非晶质层，形成于外延区域的背侧，其中非晶质层包括硅。半导体结构包括一第一硅化物层，形成于非晶质层上。半导体结构包括一第一金属接点，形成于第一硅化物层上。
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公开(公告)号：CN114582804A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210100872.X
申请日：2022-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了具有栅极切割结构的半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括提供包括正面和背面的工件。该工件包括衬底、在衬底的第一部分之上的第一多个沟道构件、在衬底的第二部分之上的第二多个沟道构件、夹在衬底的第一部分和第二部分之间的隔离特征。该方法还包括形成环绕第一多个沟道构件和第二多个沟道构件中的每一个的接合栅极结构，在隔离特征中形成引导开口，延伸该引导开口穿过接合栅极结构以形成将接合栅极结构分为第一栅极结构和第二栅极结构的栅极切割开口，以及将电介质材料沉积到栅极切割开口中以形成栅极切割特征。
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公开(公告)号：CN113555340A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110172343.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体元件，包含第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征、半导体通道、栅极介电层、内部间隔物、第一导电特征和间隔物内衬。半导体通道在第一及第二源极/漏极特征之间。栅极介电层在半导体通道上。内部间隔物形成在栅极介电层与第二源极/漏极特征之间。第一导电特征形成在第一源极/漏极特征上。间隔物内衬与内部间隔物、栅极介电层及第二源极/漏极特征接触。还提供一种形成具有减小的Cgd及增大的速度的背向金属接触件的方法。漏极侧上的源极/漏极特征，或无背向金属接触件的源极/漏极特征自背向凹陷至内部间隔物的水平以减小Cgd。本揭示案使用牺牲内衬在背向处理期间保护背向对准特征，因而，防止金属导体的形状腐蚀并提高元件效能。
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公开(公告)号：CN113394273A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110124890.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本揭露内容涉及具有背侧源极/漏极触点的半导体元件。此半导体元件包含具有顶部表面及底部表面的源极/漏极特征、形成为与源极/漏极特征的顶部表面接触的第一硅化物层、形成在第一硅化物层上的第一导电特征、及第二导电特征，此第二导电特征具有主体部分及从主体部分延伸的第一侧壁部分，其中主体部分在源极/漏极特征的底部表面下方，且第一侧壁部分与第一导电特征接触。
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