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公开(公告)号：CN114512414A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011285090.5
申请日：2020-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例涉及测试结构及其制造方法，利用测试结构的半导体结构测试方法。本揭露提供一种半导体结构测试方法，其包含步骤：形成测试结构；将静电力形成于所述测试结构的多晶硅结构；以及测量所述多晶硅结构的电容值。在形成所述测试结构时，其包含步骤：提供第一衬底，其具有第一表面；将第一沟槽形成于所述第一衬底的所述第一表面；将多晶硅结构形成于所述第一沟槽；以及将第二沟槽形成于所述第一衬底的所述第一表面，在侧视角度上使所述多晶硅结构悬空于所述第二沟槽内。本揭露还包含所述测试结构以及所述测试结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN106252233A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610107907.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H03D7/16
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/1033 , H01L29/167 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H01L29/66795 , H01L29/66803 , H01L29/785 , H03D7/16
Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括上部沟道注入晶体管的半导体器件的方法。方法包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍。一个或多个鳍包括沿着第一方向的第一区域和在第一区域的两侧上沿着第一方向的第二区域。掺杂剂浅注入鳍的第一区域的上部中而不注入第二区域中并且不注入鳍的第一区域的下部中。在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极结构形成在鳍的第一区域上方，并且源极/漏极形成在鳍的第二区域上方，从而形成上部沟道注入晶体管。本发明实施例涉及高注入沟道半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106252232A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610090342.6
申请日：2016-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。
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公开(公告)号：CN103199085B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210192139.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/761 , H01L27/0928
Abstract: 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。
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公开(公告)号：CN113130405B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202011627038.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体封装件包括：半导体芯片，设置在第一衬底的第一主表面上方；封装盖，设置在半导体芯片上方；以及间隔件，从所述封装盖延伸穿过第一衬底中的相应孔。间隔件进入第一衬底的第一主表面处的孔，并且延伸超过第一衬底的相对的第二主表面。本申请的实施例还涉及制造半导体封装件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452737B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201610943990.1
申请日：2016-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。
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公开(公告)号：CN113130405A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011627038.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体封装件包括：半导体芯片，设置在第一衬底的第一主表面上方；封装盖，设置在半导体芯片上方；以及间隔件，从所述封装盖延伸穿过第一衬底中的相应孔。间隔件进入第一衬底的第一主表面处的孔，并且延伸超过第一衬底的相对的第二主表面。本申请的实施例还涉及制造半导体封装件的方法。
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公开(公告)号：CN106409892A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610555184.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/735 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/082
CPC classification number: H01L27/082 , H01L23/562 , H01L27/0207 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0808 , H01L29/0821 , H01L29/1008 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/735
Abstract: 一种双极结型晶体管包括：发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间，以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。
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公开(公告)号：CN106356363A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610008393.X
申请日：2016-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/642 , H01L23/645
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件。半导体器件包括密封环和吸声电路。在密封环和接地垫之间电连接吸声电路。吸声电路包括至少一个电容器和至少一个电感器以形成第一吸声路径、第二吸声路径和第三吸声路径。本发明实施例涉及半导体器件和半导体系统。
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公开(公告)号：CN105280718A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510381482.4
申请日：2015-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/808 , H01L29/0688 , H01L29/66924
Abstract: 一种结型栅场效应晶体管(JFET)包括：衬底；源极区，形成在衬底中；漏极区，形成在衬底中；沟道区，形成在衬底中；以及至少一个栅极区，形成在衬底中。沟道区将源极区与漏极区连接。至少一个栅极区在界面处接触源极区和漏极区中的一个，并且至少一个栅极区与源极区和漏极区中的另一个隔离。介电层覆盖界面，同时暴露源极区和漏极区中的一个的一部分以及栅极区的一部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。
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