公开(公告)号：CN115196584B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202210140057.6

申请日：2022-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓伊筌 ,  沈靖凯 ,  杜荣国

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体结构。所述半导体结构包含第一衬底、半导体层、第二衬底及共晶密封结构。所述半导体层在所述第一衬底上方。所述半导体层具有至少部分穿过所述半导体层的腔。所述第二衬底在所述半导体层上方。所述第二衬底具有贯穿孔。所述共晶密封结构在所述第二衬底上且覆盖所述贯穿孔。所述共晶密封结构包括第一金属层及共晶接合在所述第一金属层上的第二金属层。本发明实施例还提供一种用于制作半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN105800543A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201510458907.7

申请日：2015-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仪贤 ,  吴咨亨 ,  郑创仁 ,  林诗玮 ,  杜荣国

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0785

Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。

公开(公告)号：CN114512414A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202011285090.5

申请日：2020-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡文景 ,  沈靖凯 ,  邓伊筌 ,  杜荣国 ,  梁其翔

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明实施例涉及测试结构及其制造方法，利用测试结构的半导体结构测试方法。本揭露提供一种半导体结构测试方法，其包含步骤：形成测试结构；将静电力形成于所述测试结构的多晶硅结构；以及测量所述多晶硅结构的电容值。在形成所述测试结构时，其包含步骤：提供第一衬底，其具有第一表面；将第一沟槽形成于所述第一衬底的所述第一表面；将多晶硅结构形成于所述第一沟槽；以及将第二沟槽形成于所述第一衬底的所述第一表面，在侧视角度上使所述多晶硅结构悬空于所述第二沟槽内。本揭露还包含所述测试结构以及所述测试结构的制造方法。

公开(公告)号：CN104016298A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201310221687.7

申请日：2013-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  翁睿均 ,  许希丞 ,  王志佑 ,  杜荣国 ,  朱则荣 ,  徐于庭

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00277 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00293 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0118

Abstract: 一种集成电路器件包括第一层，该第一层包含至少两个局部腔；接合至第一层的中间层，该中间层形成用于支撑至少两个微电子机械系统（MEMS）器件；以及接合至中间层的第二层，该第二层包含用于通过中间层使第一层的至少两个局部腔完整的至少两个部分层，从而形成至少两个密封的完整腔。在该至少两个完整腔内的压力不同。本发明还提供了一种MEMS结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN115196584A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210140057.6

申请日：2022-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓伊筌 ,  沈靖凯 ,  杜荣国

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体结构。所述半导体结构包含第一衬底、半导体层、第二衬底及共晶密封结构。所述半导体层在所述第一衬底上方。所述半导体层具有至少部分穿过所述半导体层的腔。所述第二衬底在所述半导体层上方。所述第二衬底具有贯穿孔。所述共晶密封结构在所述第二衬底上且覆盖所述贯穿孔。所述共晶密封结构包括第一金属层及共晶接合在所述第一金属层上的第二金属层。本发明实施例还提供一种用于制作半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN105800543B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201510458907.7

申请日：2015-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仪贤 ,  吴咨亨 ,  郑创仁 ,  林诗玮 ,  杜荣国

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。